【选型】自举电路中选择超快恢复SMD整流二极管US1M,具有恢复速度快、反向耐压高等特点
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IGBT、SIC MOS的半桥驱动电路中高边驱动中运用自举电路可减少电源设计、简化电路、降低成本等优势;其中自举电路由一个自举二极管、一个自举电容组成(如下图),该电路工作原理是通过低边驱动打开下管Q2,此时VDD2经过二极管D1给电容CB充电,当上管Q1需要打开时(此时Q2需要关闭),该电容的电荷就经过高边驱动,送入上管Q1的门极,实现上管的驱动。
由上可知,此处二极管D1的作用是起到防止自举电容CB被放电,同时给电容充电。
这里二极管选型需要考虑的依据包括:根据电路工作频率选择二极管的恢复速度、充电电流;二极管反向耐压要高于高压VCC电源电压+VDD2电压,并且留有一定余量。
对于IGBT工作在DC 300V到600V的母线电压上,并结合上述分析,本文推荐德欧泰克(DIOTEC)的极快速恢复整流二极管US1M,该二极管有如下特点适合该处应用:
1、反向恢复时间<75ns,回复速度很快;
2、正向压降为小于1.7V,@正向平均整流电流1A;
3、1000V反向耐压,漏电流小于100uA@100℃,耐压范围宽,器件可靠性高;
4、工作结温-50℃~150℃,工作温度宽,可适应绝大多数工作环境。
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM[V]
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Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]
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Junction Temperature Tjmax [℃]
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Peak Forward Surge Current IFSM[A]
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Forward Voltage VF[V]
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Forward Voltage IF[A]
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Leakage Current IR[A]
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Leakage Current VR[V]
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ABS10
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Single Phase Bridge Rectifiers
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SMD
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SO-DIL ABS 4mm
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1000
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0.8
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150
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27
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1.1
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0.8
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5
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1000
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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