【经验】香港晶体分享负电阻测量方法

2022-12-05 香港晶体官网
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一直以来,大多数设计工程师认为5到10的振荡余量(|–R|/RL)对于大多数晶体振荡器电路来说已经足够好了。事实上,这只是一些消费品的参考数字,但显然从未作为如汽车行业中严格的可靠性要求的指导。有许多考虑因素,如目标质量水平、振荡电路的特性(例如AGC、睡眠模式、驱动功率……)、晶体封装尺寸、工作频率等。这些证据证明所需的负电阻比传统工程师认为的要高得多。为可靠启动,高频基波晶体需-300至-2000 Ohm的–R,而中低频则需要-1200至-4000 Ohm。在将产品投入批量生产之前,必须仔细测量和调整电路的负电阻。此篇应用笔记介绍了一种实用的-R测量方法。


目前最常用的晶体振荡电路之一是皮尔斯门振荡器,如图1所示。它包括一个简单的非门、一个反馈电阻器Rf、两个外部负载电容器Ca和Cb以及一个晶体X1。

图1

等效电路如图2所示。在谐振时,晶体成为与电感LL串联的电阻RL。门放大器及其相关组件形成一个负电阻–R,与负载电容CL串联。

图2

等效负电阻(-R)可以通过一个简化的公式来估计:

上述公式是有一定假设的简化模型,应该仅用于粗略估计。一个更精确的模型将包括额外的晶体的寄生和C0。


图3显示了一种更实用的负电阻测量方法。如图4所示,附加电阻器Rtest(首选低电感)与晶体串联连接。Rtest将逐步被更高的电阻值所取代,直到振荡停止。振荡电压可以通过带有低电容探头(例如FET有源探头)的示波器在放大器输出(Vout)处测量。由于探头的负载效应和放大器的高输入阻抗,应避免在放大器输入端进行测量。Rtest和晶体RL的总电阻等于振荡器的负电阻。

图3

图4

负电阻可以表示为:

因为,

将(3)代入(2),则,

晶体参数C0和Rs可以用KOLINKER KH1800等晶体网络分析仪测量,也可以用符合IEC60444-5和-11国际标准的测量方法测量。


举例:

27MHz晶体在振荡器中的参数是:

根据图(3)中的设置,测量了以下结果:

此例中,负电阻(-R)为-577.9 Ohm。


产品所需的最小负电阻在很大程度上取决于目标质量水平、工作频率、晶体封装尺寸和终端应用。数据可以从晶体制造商那里获得。在-R不足以实现目标质量水平的情况下,在大多数情况下可以通过降低外部负载电容Ca和Cb来改善。当然,必须重新进行CL和驱动功率的新匹配。频率误差预估也应被再检查。



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