【产品】60V/70A的N沟道先进功率MOSFET RU6070L，漏源导通电阻典型值仅6mΩ
锐骏半导体推出一款N沟道先进功率MOSFET RU6070L，该器件采用超高密度单元设计，并具有超低漏源导通电阻，典型值仅6mΩ@VGS=10V，适合应用在DC-DC转换器和离线UPS中 。
图1. 产品封装和等效电路图
产品特性
■60V/70A
■ RDS (ON) =6mΩ(Typ.)@VGS=10V
■ 超高密度单元设计
■ 超低导通电阻
■ 100%雪崩测试
■ 无铅、绿色环保器件，符合RoHS标准
绝对最大额定值
电气参数（Tc=25℃，除非另外标注）
标注：
1. 在最大允许结温条件下计算连续电流，该封装限制最大测试电流为60A。
2. 脉冲宽度限制在安全运行范围
3. 测试受限于最大结温，开始测试结温Tj=25℃，IAS =30A, VDD =48V, RG = 50Ω
4. 脉冲测试，宽度≤300µs，占空比小于≤2%
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深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）公司简介
型号- RU3070L,RUH40130M,RU4090L,RUH60100M,RU60E5D,RUH3051M2,RUH110N90M,RU65R160M,RU205B,RUH30200M-C,RU40L10H,RU6080L,RU6888S,RUH30120M,RU8205G,RU6888R,RU6888M,RUH1H150S,RUH1H150R,RUH1H80M,RUH3051M,RUH1H80R,RUH85210S,RUH40140M,RU65R740L,RUH115N90M,RUH4040M2,RU2020H,RUH30100M,RU2060L,RU40L10L,RU3020H,RU65R360M,RU65R340P,RU207C,RU65R450M,RU8590R,RU8590S,RU3089M-C,RUH30120M-C,RU6070L,RU8205C6,RU6050L,RUH6088M,RUH30150M,RUH120N90M,RUH4060L,RUH4080M,RUH40P40BM2-R,RU7570L,RU60D10H,RU20P7C,RU65R260M,RU20P3B
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
|
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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