【产品】60V/70A的N沟道先进功率MOSFET RU6070L，漏源导通电阻典型值仅6mΩ

时间： 2022-04-14 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出一款N沟道先进功率MOSFET RU6070L，该器件采用超高密度单元设计，并具有超低漏源导通电阻，典型值仅6mΩ@V_GS=10V，适合应用在DC-DC转换器和离线UPS中。

图1. 产品封装和等效电路图

产品特性

■60V/70A

■ R_{DS (ON)}=6mΩ(Typ.)@V_GS=10V

■ 超高密度单元设计

■ 超低导通电阻

■ 100%雪崩测试

■ 无铅、绿色环保器件，符合RoHS标准

绝对最大额定值

电气参数（Tc=25℃，除非另外标注）

标注：

1. 在最大允许结温条件下计算连续电流，该封装限制最大测试电流为60A。

2. 脉冲宽度限制在安全运行范围

3. 测试受限于最大结温，开始测试结温Tj=25℃，I_AS =30A, V_DD=48V, R_G = 50Ω

4. 脉冲测试，宽度≤300µs，占空比小于≤2%

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锐骏半导体（Ruichips）沟槽MOSFET和超结MOSFET选型指南

目录- P-MOSFET N-MOSFET

型号- RU1HE4H,RU8048S,RU1H140R,RU30E4B,RU1HE4D,RU8048R,RU4090L,RU6051K,RU140N10R,RU6099S,RU6075R,RU6051M,RU6099R,RU75110R3,RU30C30M,RU75400Q,RU70200R,RU2H35S,RU2H35Q,RU8048L,RU2H35R,RU1H130R3,RU306C,RU1HE3H,RU60E2B,RU75260Q,RU1Z150R,RU2H100Q,RU1H301Q,RU1Z150S,RU2H100R,RUH30140M,RUH3051L,RU3089L,RUH3051M,RU3089M,RU1H150S,RU3065L,RU65110R,RU1H150R,RU1H130Q,RU1H130S,RU20D40M3,RU1H130R,RU40231Q2,RU6085L,RU6085M,RU75150R,RU40130R,RU2H80R,RUH30120L,RU1H20H,RU75N08R3,RU1HT3H,RU70E4D,RU20P17M2,RU6085H,RU70E4H,RU65110R3,RU30230R,RU7088R3,RU16P8M4,RU3020H,RU1Z120R3,RU6050R,RU6050S,RU8590R,RU8590S,RU68130R,RU190N08R,RU190N08Q,RU6050L,RU190N08S,RU80N15Q,RU80N15R,RU7588R3,RU40120M,RU40S4H,RU80N15S,RU3568L,RU30231R,RU3520H,RU20P7C,RU3568R,RU80T4H,RU40E80L,RU7089R,RUH30D18H,RU30J30M,RU65R900P,RU40120S,RU40120R,RU65R900L,RU40E25L,RU30P5H,RU40121M,RU30E40L,RU1H7H,RU30C10H,RU205B,RU7088R,RU30J41M,RU40121R,RU40L10H,RU40230S,RU40230R,RU75240R,RU4089R,RUH1H20H,RU30P5D,RU2H30R,RU2H30S,RU8205G,RU4089L,RUH30120M,RU30160R,RU60120R,RU30P4H,RU3040M2,RU2H30Q,RU30D20H,RU60E25R,RU7588R,RU40C40M,RU60E25K,RU1H140R3,RU60E25L,RU40190R,RU40190S,RU30L70L,RU40231R,RU1H40L,RU70140R,RU1H40M,RUH30100M,RU30L40M2,RU1Z121R,RU20P4C6,RU40L10L,RU4068L,RU3030M2,RU30L15H,RU20P4C,RU30290R,RU8099R3,RU304B,RU1HP35L,RU207C,RU40191S,RU55110R,RU1HE3D,RU3075R,RU1HE12L,RU30J51M,RU2560L,RU40220R,RUH4020H,RU60C8H,RU6070L,RU30200M,RU2HE5L,RU7085R,RU3041M2,RU1Z120R,RU20P3B,RU65120R,RU7550R,RU30291R,RU7550S,RU3075L,RU30E60M2,RU55111R,RU6888R3,RUH40130R,RU65R580L,RU30C8H,RU3070L,RU60P50S,RU3070M,RU6580R,RU1H100R,RU1H221R,RU1H221Q,RUH3090L,RUH40130M,RU1HP60S,RU1HP60R,RU1HP60Q,RU40180M,RU65R2KL,RU65R2KP,RU1HL13L,RU20P7C6,RU1HL13R,RUH3030M2,RUH30J51M,RU30E20H,2N7002K,RU3012M4,RU1HL13K,RU65R580P,RU3582R,RU8099R,RU1H220R,RU3582S,RU1H220Q,RU6080L,RU60101R,RU6888S,RU2H50Q,RU2H50S,RU6888R,RU2H50R,RU30S15H,RU6888M,RU1H190S,RUH40130L,RU1H190R,RU40P4H,RU35122S,RU35122R,2N7002,RU60D5H,RU1H60R,RU3060K,RU3060L,RU2030M2,RU40190Q2,RU65R740P,RUH40140M,RU65R740L,RU30300R,RU75110S,RU75110Q,RU60100R,RU75110R,RU30P4B,RU30P4C,RU68130R3,RUH3020L,RU60E16R,RU1HE16L,RU20P18L,RU16P4M4,RU60E16L,RU75N08S,RU75N08R,RU60450Q,RU75230S,RU4099Q,RU75N08L,RU4099R,RU40280R,RU30P3B,RU120N15Q,RUH4080L,RU7582S,RU2HE2D,RU60190R,RU30P4C6,RU30L18H,RU6010H,RUH4080M,RU120N15R,RU30D10H,RU7570L,RU1H180S,RU7582R,RU3710S,RU1H180R,RU3560L,RU3710R,RU60E5H,RU12200R,RU3090M,RU55200Q,RU6099R3,RU30120L,RUH8080H,RU30120M,RUH60100M,RU6055S,RU60E5D,RU70190R,RU75150R3,RU6055R,RU7080L,RU1Z200Q,RU7581R,RU6055L,RUH3051M2,RU3010H,RU80190R,RU75210R3,RU60E6H,RU80100R,RU80100S,RU1Z40L,RU190N10Q,RU190N10S,RU190N10R,RU1H35R,RU3070M2,RU1H35S,RU1H35Q,RU70E15L,RU1H35L,RU30120S,RU1H35K,RUH60100R,RU7580R,RUH30D20H,RUH30J30M,RU30120R,RU65R340L,RU1H150Q,RU30L30M,RU30D8H,RU3080L,RU75170S,RU3080M,RU1H300Q,RU75170R,RU1H36S,RU6881R,RUH4040M2,RU2020H,RU1H36R,RU40150R,RU55L18L,RU40150S,RU1H36L,RU30S5H,RU60280R,RU65R340P,RU40P3C,RU2520H,RU2568L,RU1088R,RU3091M,RU6199Q,RU30D20M2,RU75210R,RU8205C6,RU75210S,RU12150R,RU60200R,RU12150Q,RU4095L,RU6199R,RU75210Q,RUH30150M,RUH4060K,RU55L18R,RUH4060L,RU40E32L,RUH6020H,RU8080S,RU30S4H,RUH3025H,RU3011H,RU1HL8L,RU602B,RU70100R,RU1H160R,RUH8015H,RU1H80R,RU60P50L

2019/07/10 - 锐骏半导体 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）公司简介

型号- RU3070L,RUH40130M,RU4090L,RUH60100M,RU60E5D,RUH3051M2,RUH110N90M,RU65R160M,RU205B,RUH30200M-C,RU40L10H,RU6080L,RU6888S,RUH30120M,RU8205G,RU6888R,RU6888M,RUH1H150S,RUH1H150R,RUH1H80M,RUH3051M,RUH1H80R,RUH85210S,RUH40140M,RU65R740L,RUH115N90M,RUH4040M2,RU2020H,RUH30100M,RU2060L,RU40L10L,RU3020H,RU65R360M,RU65R340P,RU207C,RU65R450M,RU8590R,RU8590S,RU3089M-C,RUH30120M-C,RU6070L,RU8205C6,RU6050L,RUH6088M,RUH30150M,RUH120N90M,RUH4060L,RUH4080M,RUH40P40BM2-R,RU7570L,RU60D10H,RU20P7C,RU65R260M,RU20P3B

2020 - 锐骏半导体 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持批量订货

锐骏半导体MOSFET选型表

锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A

产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3

选型表 - 锐骏半导体立即选型

【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术

锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。

2022-04-09 - 新产品代理服务技术支持批量订货

锐骏半导体N-MOSFET选型表

锐骏半导体提供以下参数的N-MOSFET：Channel(沟道)：N/Dual-N/N+P; ESD(静电泄放):N/Y; VDSS(零栅压最大漏源电压):20~85V; VTH(阈值电压)：0.5~5V; IDS:0.2~200A; 封装外形有：SOT23-3、DFN3333、DFN3030、SOT23、SOT23-6等多种封装外形

产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3