【应用】国产高精度电容式隔离放大器NSI1300D05-DSWVR用于电机电流采样,误差低至0.03%
工业电机驱动作为工业自控系统的重要单元,其响应速度及执行精度都直接决定系统的可靠性。客户在电机相电流的采样方案中原使用国际主流品牌的AMC1300,现因为缺货找替换,结合使用给其推荐国产纳芯微电子的NSI1300D05-DSWVR电容式隔离放大器,精度高、增益误差小,可较好的应用于方案中。
电机相电流采样的基本原理框图如下:
图1 电机相电流采样的基本原理框图
在电机相电流采样方案中使用NSI1300D05-DSWVR会带来如下优势:
1、 安全性高:绝缘电压高达5000Vrms,可使应用方案达到可靠的隔离效果。
2、 采样精度高:初始输入偏置误差最大值低至±0.2mV(最大值),增益误差低至±0.3%,可保证采样放大的准确性。
3、 稳定性好:非线性情况下,误差最大低至±0.03%,温漂低至±1ppm/℃,可保证输出稳定性。
4、 噪声小:输出噪声在BW为100KHZ下低至200mV,可使输出信号波动更小;
5、 抗干扰能力更好,共模抑制比CMTI 为150kV/μs,较目前主流的同类产品信号抗干扰能力更强,可应用于工业应用中较恶劣的环境。
6、 封装为DWV-8,与目前主流产品的封装均兼容,可实现兼容设计。
市场验证较充足,已经有了较成熟的典型应用电路,推荐如下:
图2 典型应用电路
综上所述,NSI1300D05-DSWVR以其低增益误差、低温漂、低噪声、高CMTI等优异的特性参数,可较好的应用于客户电机相电流采样的方案中,与主流同类产品兼容性好,设计简单,可更快解决客户缺货问题提高产品稳定性。
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产品型号
|
品类
|
封装
|
封装尺寸(mm X mm)
|
气嘴
|
压力范围(kPa)
|
综合精度(%F.S.)
|
温度范围(℃)
|
工作电压(V)
|
工作电流(mA)典型值
|
输出类型
|
满量程输出(V)
|
出厂前校准
|
车规等级
|
NSP1630-CDT200
|
MEMS绝压传感器
|
MEMS晶圆
|
1.0mm × 1.0mm x 0.4mm
|
/
|
0~200
|
±1
|
-40~125
|
12
|
1
|
模拟电压输出
|
0.08
|
N
|
Y
|
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SERIES,NCA1057N-Q1DNR,NSP163X,NSI6602NC-DSPNR,NCA1042BN-Q1,NSI8221WX,NSI66X2,NSI6631ASC-Q1SWR,NSI6602MNC-DSWTR,NCA1042B-Q1DNR,NSI6642,NSI6601C-DSWVR,NIRS2X,NSI6601MB-DSWR,NSI8266SX,NSI6602NB-Q1SPOR,NCA34XX SERIES,NSI6602NC-Q1SPOR,NSD7310A,NSD8306-Q1,NSI6622ND-DLAMR,NSG65N15K,NSD12409-Q1SPR,NSE4250 SERIES,NCA1042CN-DSPR,NSI6602VA-DSWKR,NSI6642D-DLAMR,NCA1051N,NSI6642A-DSWKR,NIRS20N1-DSPR,NIRS21N1-DSPR,NSI6622NA-DLAR,NSC2860X-DQNR,NSI1042-DSWVR,NCA1042C-Q1SPR,NSI6602C-DSWR,NCA1057-Q1DNR,NSI8221CX-DSPR,NPD010N120A-DTOGT,NSI6602VB-Q1SWR,NSI8210CX-DSPR,NSD1026V-QISPR,NSD12416‒Q1,NSI1050-DDBR,NSI8241NX,NSI6602NC-Q1SPNR,NCA1042BN-Q1DNR,NSR10AXX SERIES,NST461,NSD2621X,NCA1042A-Q1,NSI8222WX,NST103,NSI1303D0X,NSI1303E2X,NSI6622A-Q1SWKR,NSI6602VC-DLAR,NSR31 SERIES,NSD16242-DSPR,NCA9555,NSI1052,NSC6360,NSC6362,NSI6622NB-DLAMR,NSI6651ALC-DSWR,NSC6364,NSI6602NA-DSPNR,NSI6622A-DLAR,NSI6622C-Q1SPNR,NCA1042C,NSI8220CX-DSWR,NSI6622C-DSPNR,NSA3166,NCA1042A-Q1SPR,NSIP8941W0-DSWR,NSI6642B-DLAR,NCA1042B-Q1,NSPGD1M,NSPAS3 SERIES,NSD1624-DSPR,NSI6602VA-Q1SWR,NSD1026V-Q1HMSR,NSI8242CX-DSWR,NSI6602MNC-Q1SWTR,NSL2163X-Q1,NST20,NIRS31,NSREF30XX,NCA9545,NSI6622NA-DLAMR,NSI1042,NSI6611,NCA9546,NSI6622B-DSPNR,NCA9306,NCA9548,NSD12416-Q1SPR,NSI6602MC-Q1SWTR,NSI8242NX,NSD8381-Q1QAIR,NSD8308-Q1HTSXR,NCA9617A,NST1001HA,NSI6602VA-DSWR,NSI1303D2X,NSI1050,NSI6601B-DSWVR,NSD7310-DHSPR,NSI6601,NSD731X-Q1,NCA1057N-Q1SPR,NSR7808GXX,NSD7312-Q1HSPR,NSI6602VB-DLAMR,NSI6602MNF-DSWTR,NSD1026V-DHMSR,NSA3300,NSI6602C-Q1SWKR,NSC2860X,NSD11416‒Q1,NSI6622NB-Q1SPNR,NCA1051N-DSPR,NSI6611ASC-DSWR,NSI22C11,NSI8230CX-DSWR,NSI6801B-DSPR,NSI6622A-DSPNR,NSD12409‒Q1,NSD5604NE-DHTSTR,NSPDSX SERI
【经验】关于纳芯微隔离放大器NSI1312D-DSPR的负压采样精度偏低问题经验分享
在APF产品母线采样设计过程中,纳芯微电子隔离放大器NSi1312D通过电阻参数测试验证,发现采样的正母线电压精度和理论计算值相近,但是负母线电压采样值偏差比较大,输入负压时变成非线性。基于此关于负压采样精度偏低的经验分享。
设计经验 发布时间 : 2022-08-09
纳芯微电子-汽车电源芯片介绍
型号- NSE34050D-Q1,NSR10AXX,NSR7808-Q1,NSR35XXX-Q1,NSL21630,NSL21631,NSE11409-Q1,NSL21610,NSR31XXX-Q1,NSE34050Q-Q1,NSRXXX-Q1,NSE34050S-Q1,NSE5501-Q1,NSL21611,NSR31XXX,NSR33XXX-Q1,NSL2163X,NSR33XXX,NSL2161X,NSR35XXX
纳芯微电子(NOVOSENSE)栅极驱动IC产品选型指南
描述- 栅极驱动芯片(Gate Driver IC)是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。
型号- NSI6801,NSI6602M,NSI6601,NSD1015MT-Q1,NSD1026V,NSI6602N,NSI68010,NSI68011,NSG65N15K,NSI6651-Q1,NSI6602V,NSD1015MT,NSI68515,NSD1624-Q1,NSI6770,NSD1624,NSI6801E,NSI66X2V,NSD2017,NSI6602XA-DXXX,NSD1224,NSI6601-Q1,NSI6602V-Q1,NSI6911,NSD1015T,NSI6770-Q1,NSI6611,NSI6911-Q1,NSI6801M,NSI6602VD,NSI6651,NSD1624(XX)-XX,NSI68010-Q1,NSI6601M,NSI6611-Q1,NSD2622N,NSD2012N,NSD10151-Q1,NSI6601(XX)C-DXXX,NSI6601M-Q1,NSI6622V-Q1,NSI66X2,NSD1026V-Q1,NSD2621,NSI6602U-Q1,NSD1015
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
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