【应用】设计基于GaN FET的智能功率放大器模块

2021-09-21 EPC
GaN FET,EPC GaN FET,EPC GaN FET,EPC GaN FET,EPC

在过去几年中,氮化镓 (GaN) FET在电力电子设备中应用地越来越普遍。由于GaN FET具有出色的特性,在具有超过100W/cm³或更高功率密度的开关变换器的小型化方面发挥着越来越重要的作用。基于GaN晶体管的变换器效率可达到99.5%。


由于转换频率向MHz范围扩展,磁性元件(扼流圈、变压器)的尺寸也显着减小。 然而,设计人员在使用GaN晶体管设计时仍面临许多挑战。芯片家族成员是以晶圆级晶片尺寸封装形式呈现,驱动器也是微型的。

由于极快的开关速度,在优化栅极控制电路及其拓扑方面存在着重大问题。提醒一下,GaN FET没有可影响应用设计的常见的寄生二极管。考虑到相对于功率元件尺寸的电流和电压值,很明显在PCB拓扑、散热和确保所有工作模式的安全区域操作方面需要新的设计方法。像以往一样,设计人员必须在“成本”、“效率”和“EMC”三个中选择两个,但对于GaN FET,与Si MOSFET相比,这种组合得到了扩展。


为了简化和加速许多设备(D级音频放大器、交流电流和电压校准器、电源调制器等)的开发进程,出现了创建一个具有以下参数的智能功率放大器模块(IPAM)的想法。

• 电源电压高达80V,输出电流高达20A

• 正弦输出功率 500W

• 效率 98%(半功率),96%(额定功率)

• 全功率带宽 0…50 kHz

• 主载波频率1MHz,内部转换频率高达10MHz

•THD小于0.01% (-1dB)

• 通过2线串行接口 (TWI) 进行诊断和参数设置


IPAM是一个由公共负反馈覆盖的全差分脉冲功率放大器。典型的载波频率约为1MHz,并且可能会根据输入电平、输出功率和负载阻抗在±50%内变化。一个高速精密比较器用作误差放大器。 

该模块包含小型FPGA芯片。FPGA的第一个重要功能是产生额外的脉冲以获得最佳的放大器线性度。 FPGA的第二个功能是保持电源开关和输出扼流圈的安全工作模式,而不管输入模拟或 PWM 信号的参数如何。FPGA限制了调制指数和其他一些参数。当转换频率低于限制值时,FPGA会产生额外的脉冲,防止UVLO检测器因自举电容放电而触发。最小脉冲长度也受到限制,以符合驱动电路的要求。如果输入信号的参数符合引入的限制,误差放大器输出的脉冲序列将异步传输到半桥驱动器,延迟小于5ns,时间失真最小。所有参数均可通过TWI进行编程,并且可由用户废除。


由于IPAM原始的控制回路结构,它不依赖于THD+N与频率,并且对THD+N与输出功率的依赖性非常低。IPAM对于高达200-250W RMS的输出功率,在一般情况下不需要额外的散热器。

通过使用外层35μm Cu、内层70μm的六层PCB,以及过孔填充铜来解决散热问题。 该模块安装在尺寸为 76x36x18 mm的CNC加工铝制外壳中。 在最后阶段,使用具有非常高热导率的特殊陶瓷基化合物进行真空填充。

输出扼流圈的开发已经变成了一项单独的研发工作,由TDK/EPCos和Ferroxcube制造的最新高频功率铁氧体的参数需要研究。不幸的是,这些公司没有提供足够的数据来进行准确的计算。必须找到一种方法来制作具有不同间隙和不同匝数的样本并详细研究,这花了笔者一个多月的时间和相应的费用。最终,制造了具有20A线性电流范围和SRF>10 MHz的33μH小型扼流圈。不幸的是,世界工业企业不生产具有类似特性的扼流圈。


逼着还必须研究用于输出解调LC滤波器的各种薄膜电容器的真实特性,并选择具有聚苯硫醚电介质的产品。由于陶瓷电容器非常显著的非线性,不适合这些用途。特别需要注意的是为该功率级选择最佳的陶瓷隔直电容器。逼着不确定是否可以在没有矢量网络分析仪以及带有源探头的2GHz示波器,从几个燃烧试验开始的情况下完成这项工作。许多参考设计是“事物本身”,只能在您的实验室桌子上“按原样”工作,但不能在实际环境中工作,尤其是当它们被会产生EMI问题的外部连接所束缚时。笔者设法实现了开关电流的几乎所有高频分量都在模块内部循环。


如果您想获得高效率,并且不希望以后出现 EMI 问题,请仔细设计栅极驱动电路。强烈建议在开始自燃之前模拟添加寄生电感的电路。对于 GaN FET,在可靠的栅极控制和实际参数(效率、EMI)之间存在非常小的折衷。有可能找到一种方法来保持对栅级地可靠控制。建议使用铁氧体磁珠的几个奇妙特性,这些特性可用于一些不寻常的情况。由于极高的dV/dt和dI/dt,在运行期间模块的电源和信号接地之间会出现明显的电压尖峰。为TWI和ERR/ENA控制信号添加了电流隔离。


RGB LED指示多个故障的事实和原因。错误类型被编码在由长停顿隔开的一系列闪烁中。 IPAM 可以使用生成保护间隔的内置计时器进行自动重新初始化。


不带输出解调滤波器的通用两相模块正在开发中。它可用于具有不同拓扑结构(降压、升压或 LLC)的各种 DC/DC 变换器。可以构建具有相似参数的三相版本的电源模块。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由闯天涯翻译自EPC,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【应用】EPC车规级GaN场效应管EPC2203应用于激光雷达,脉冲电流可达17A,漏源耐压值可达80V

本文主要介绍EPC汽车级GaN场效应管EPC2203在激光雷达上的应用,主要用在激光雷达发射部分,用于控制激光器的快速开关,优势:漏源耐压值可达80V;持续电流1.7A,最大脉冲电流17A;漏源电阻仅80mΩ,可有效降低系统损耗等。

2022-12-21 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现功率密度和效率基准

EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合,为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。

2024-02-29 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】基于GaN(氮化镓)的D类音频放大器,实现高质量、低成本的音质

现在,氮化镓FET和IC的出现正在迎来高质量、低成本D类音频放大器的时代。基于GaN的FET和IC更优异的开关和热性能产生的波形比硅MOSFET所能达到的波形更接近所需的理想波形。采用GaN技术的高级音频D类放大器提供高于A类放大器设计的音质。

2021-09-19 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

【IC】EPC提供100V GaN FET助力实现更小的电机驱动器,用于电动自行车、机器人和无人机

EPC推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计EPC9194,工作输入电源电压范围为14V~60V,可提供高达60Apk的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器,包括电动自行车、电动滑板车、无人机、机器人和直流伺服电机。

2023-11-07 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用

描述- 本文探讨了使用通用门驱动器与氮化镓(GaN)FET配合使用时需要注意的关键因素。文章详细介绍了GaN FET与硅MOSFET之间的主要差异,包括门电压水平、开关速度、反向导通电压降和物理结构等。此外,文章还提供了将MOSFET驱动器转换为适用于GaN FET的建议步骤,包括使用外部自举二极管、自举钳位、门返回电阻和反向导通钳位等。最后,文章强调了在设计使用集成门驱动器的控制器IC时,需要考虑的布局和设计折衷方案。

February 2024  - EPC  - 技术文档 代理服务 技术支持 采购服务

【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A,具有较低的栅极电荷,可用于自动驾驶激光雷达

EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管(GaN FETs),为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案,可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。

2022-12-29 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【视频】EPC发挥其GaN技术优势,将帮助实现高效能电机驱动应用和DC/DC转换器

型号- EPC9173,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC2308,EPC2307,EPC23102

EPC  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务

EPC将在PCIM Asia 2024展示先进的氮化镓电源解决方案

作为全球增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC 的领导者,EPC 很高兴宣布将参加 PCIM Asia 2024。该活动将于 8 月 28 日至 30 日在中国深圳举行。EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Asia 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC,涵盖包括 AI 服务器、机器人等在内的各种实际应用,探索业内最全面的 GaN 电力转换解决方案组合。

2024-08-26 -  原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务

【元件】EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET EPC2361,采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)

EPC推出采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)的100V、1mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能MPPT等应用实现更高的功率密度。

2024-02-29 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

【元件】使用EPC新款50V GaN FET设计更高功率密度的USB-C PD应用,尺寸仅为1.8 mm²

EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET,尺寸仅为1.5mm x 1.2mm,为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者,推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计,包括消费电子、车载充电和电动出行设备。

2024-06-26 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

【经验】GaN FET在激光雷达驱动器中的参数设计指导

本文中给出的激光雷达驱动器采用EPC公司的开发板EPC9126进行设计。EPC9126/EPC9126HC采用最优的PCB layout,EPC9126采用GaN FET—EPC2016C,在极短的4ns脉冲宽度,给三接面激光产生35A脉冲。EPC9126HC为大电流演示系统,在 8ns脉冲宽度可产生65A脉冲。文中给出了具体设计的参数指导。

2020-06-13 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

【IC】EPC新推基于GaN FET的150A电机驱动器EPC9186,适用于电动出行、叉车和大功率无人机

EPC新推EPC9186,这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14V~80V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。

2023-05-10 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

Design Higher Power Density USB-C PD Applications with New 50V GaN FET in Tiny 1.8mm² Footprint from EPC

EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN) power FETs and ICs, launches the 50 V, 8.5 mΩ EPC2057aN FET is specifically designed to meet the evolving needs of high-power USB-C devices including those used in consumer electronics, in-car charging, and eMobility.

2024-06-13 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

How to Use the GaN FET Thermal Calculator to Boost Reliability and Shorten Time-To-Market in Power Electronics System Designs

This article tells about how to use EPC‘s GaN FET Thermal Calculator to boost reliability and shorten time-to-market in Power Electronics System Designs. they are smaller, they switch faster, and have lower on-resistance resulting in greater efficiency than their silicon counterparts.

2022-05-18 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

EPC GaN FET EPC9192让您实现高性能D类音频放大器,每声道输出功率达700W

EPC宣布推出EPC9192参考设计,可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器,于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势,在4Ω负载时,每声道输出功率达700W。

2024-04-12 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:必易微

品类:ACDC 功率开关

价格:¥8.0000

现货: 180

品牌:虹美功率半导体

品类:GaN FET

价格:¥5.7118

现货: 20

品牌:虹美功率半导体

品类:GaN FET

价格:¥7.9789

现货: 20

品牌:虹美功率半导体

品类:GaN FET

价格:¥6.1600

现货: 16

品牌:Raytrons

品类:双向升降压转换器评估板

价格:¥450.0000

现货: 0

品牌:Raytrons

品类:双向升/降压转换器评估板

价格:¥600.0000

现货: 0

品牌:Raytrons

品类:GaN模组

价格:¥91.6667

现货: 0

品牌:必易微

品类:功率开关

价格:

现货: 0

品牌:必易微

品类:准谐振模式功率开关

价格:

现货: 0

品牌:Raytrons

品类:GaN模组

价格:¥58.3334

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

现货:33,661

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

现货:17,725

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

现货:5,920

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥3.5000

现货:3,059

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥26.0000

现货:941

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面