【元件】 爱仕特新品40A/1200V碳化硅MOSFET D02系列可作Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET备选
深圳爱仕特科技有限公司推出爱仕特新款碳化硅MOSFET D02封装产品，可作为Wolfspeed 650V碳化硅（SiC）TOLL封装MOSFET C3M0060065L备选。
据悉，Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET C3M0060065L曾获2022年全球电子成就奖-创新产品奖（年度功率半导体/驱动器类别），充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。
爱仕特新款碳化硅MOSFET D02，导通电阻为45mohm，额定电流为40A，Vds电压为1200V，可应用于电动汽车、消费类电源等领域。D02采用双边扁平无引脚封装结构，且背面金属焊面更大，降低了内阻，散热性能也得到大幅度提升，而它的低引线电感意味着可最大限度地降低导通损耗。薄型封装尺寸紧凑又节约元器件净空高度，D02因此能够灵活应用于尺寸或内部高度受限的系统。
应用优势
具有低电容的高速开关
高阻断电压，低RDS(on)
用标准门驱动器简单驱动
100%雪崩测试
最大结点温度为150℃
符合ROHS标准
应用领域
电动汽车充电
DC-AC逆变器
高电压DC/DC转换器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动器
随着下游行业对半导体功率器件轻量化、高转换效率、低发热特性需求的持续增加，爱仕特从性能、成本等多维度协调发展，在系统向碳化硅转型时，不断研发新技术新产品，满足功率器件更高功率和更低损耗的发展需求，利用高耐用性的封装实现产品的更高可靠性、更长使用寿命，助推碳化硅功率器件在“3060双碳”战略重大背景下的规模应用和实践。
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