英诺赛科将参加2023年IFWS＆SSLCHINA，现场分享氮化镓在自动驾驶中的最新进展

时间： 2023-02-03 来源：英诺赛科公众号

2023年2月7~10日，以“低碳智联·同芯共赢”为主题的第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）、第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）和第三代半导体技术应用创新展将于苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店举办。

作为全球领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科受邀参加展会，并将在车用半导体创新合作峰会上分享氮化镓在自动驾驶中的最新进展。

英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，拥有世界上最大的8英寸硅基氮化镓生产基地和先进的研发与制造能力，致力于用硅基氮化镓打造绿色高效新世界。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，为客户提供从30V 到700V的高、低压全功率段氮化镓芯片及全氮化镓整体解决方案。8英寸氮化镓全自动生产线与全流程质量管控体系，为芯片性能和大批量交付需求提供了有力保障。截至去年8月，英诺赛科已累计出货超1亿颗氮化镓芯片，并在消费类电子、数据中心、自动驾驶、新能源等领域与上下游企业紧密合作，逐步构建起氮化镓“芯”生态。

随着第三代半导体技术的持续进步，高效、低能耗、高功率密度的氮化镓功率器件推动系统向高功率密度的发展，逐渐成为绿色经济发展的驱动力，尤其是新能源汽车领域。据预测，到2025年电动汽车中氮化镓芯片市场机会每年总值将超过25亿美元。目前，英诺赛科已通过了IATF16949认证。

在此次IFWS车用半导体创新合作峰会上，英诺赛科产品应用主任工程师孟无忌博士将带来《氮化镓在新能源智能汽车的应用探索与实践》的主题报告，分享最新的实践经验与收获。

同时，针对新能源汽车、数据中心等前沿应用领域的一系列高性能氮化镓解决方案，也将在展会现场全面展示，敬请期待。

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