【产品】150Ω导通电阻P沟道结型场效应管,可保持小信号的完整性

2018-05-26 Central
硅P沟道小信号结型场效应管,军品级结硅P沟道结型场效应管,高电压硅P沟道结型场效应管,CP548-2N5116 硅P沟道小信号结型场效应管,军品级结硅P沟道结型场效应管,高电压硅P沟道结型场效应管,CP548-2N5116 硅P沟道小信号结型场效应管,军品级结硅P沟道结型场效应管,高电压硅P沟道结型场效应管,CP548-2N5116 硅P沟道小信号结型场效应管,军品级结硅P沟道结型场效应管,高电压硅P沟道结型场效应管,CP548-2N5116

Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商,主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块(MDM)。CENTRAL公司推出的CP548-2N5116系列场效应管是一款专为模拟开关和斩波应用而设计的硅P沟道小信号结型场效应管适用于高可靠性系统的设计。主要应用于高电压、快速开关、马达驱动器、新能源逆变器、半导体照明等领域。



在TA=25°C的标准下,CP548-2N5116系列P沟道小信号结型场效应管栅极-漏极电压为30V,栅源电压为30V,栅电流为50mA,操作和储存结温范围是-65℃~150℃,满足军品级器件的温度要求,具有极高的稳定性。在VDD=6.0V, VGS=5.0V、VGS=5.0V、ID=3.0mA、RL=1.8kΩ的标准下,打开时间为42ns,关闭时间为60ns。CP548-2N5116在VGS=0V, ID=1.0mA环境下,导通电阻RDS(ON)最大值为150Ω,有较好的效率表现。


在VDS=15V、VGS=0、f=1.0MHz的标准下,输入电容25pF,反向传输电容为7pF(VGS=5.0V, VDS=0,),可减少信号衰减和失真,保持信号的完整性。


图1  CP548-2N5116系列结型场效应管外观图


CP548-2N5116系列结型场效应管特点:

•导通电阻最大值为150Ω

•操作和储存结温范围是-65℃~150℃

•栅源电压为30V

•栅电流为50mA

 

CP548-2N5116 系列结型场效应管应用领域:

·高电压

·快速开关

·马达驱动器

·新能源逆变器

·半导体照明

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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