【选型】导通电阻低至15mΩ的国产SiC MOSFET助力低电压治理设备，经过100%雪崩测试

时间： 2023-03-18 来源：世强

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电压作为电能质量的一个重要评价指标，是保障供电服务的基本条件，现在部分区域的供电电压偏低，不能很好的满足正常生产生活用电需求。为了解决这一难题，低电压治理设备应运而生，它能实时检测电网电压，针对异常电压与目标电压做差值，使得设备输出与差值电压大小相等方向相反的电压叠加到电网电压上，实现输出稳定的合格电压，从而保障生产生活中用电的稳定。

低电压治理设备中考虑功率损耗、温升等方面，在逆变部分采用了ANPC三电平拓扑，桥臂上考虑选择650V，导通内阻尽量低的SiC MOS，ANPC拓扑如下：

本文推荐爱仕特的ASC100N650MT4，ASC100N650MT4是爱仕特推出的一款650V的SiC MOSFET，其导通内阻R_DS(on)为15mΩ，持续的导通电流可达100A，满足低电压治理设备的应用需求，且具备更高的功率密度。

在低电压治理设备上使用爱仕特ASC100N650MT4具备以下优势：

1、性能优越，低电容高速开关；

2、具有极低的R_DS(on)，导通损耗低、效率高；

3、质量可靠，经过100%雪崩测试。

综上所述，ASC100N650MT4十分适合低电压治理设备的应用，其部分参数如下：

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