【产品】内置双MOSFET的单节锂电池保护电路RUDW02G,集高精度过电压充放电保护、过电流放电保护等性能于一身
RUDW02G系列内置双MOSFTE单节锂电池保护电路是锐骏半导体推出的一款高精度的单节可充电锂电池的过充电和过放电保护电路,不适用于无线和射频信号排布及屏蔽太差的产品,它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。
正常状态下,RUDW02G的VDD端电压在过电压充电保护阈值(VOC)和过电压放电保护阈值(VOD)之间,且其VM检测端电压在充电器检测电压(VCHG)与过电流放电保护阈值(VOI1)之间,控制内部MOS管保护锂电池过充、过放及短路保护。
此RUDW02G的COUT端和DOUT端可以扩展MOS,分别使外接充电控制N-MOS管Q1和放电控制N-MOS管Q2导通。这时,既可以使用充电器对电池充电,也可以通过负载使电池放电。
RUDW02G通过检测VDD或VM端电压(相对于VSS端)来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时,导通变为截止,从而充/放电过程停止。RUDW02G对每种保护状态都有相应的恢复条件,当恢复条件满足以后,截止变为导通,从而进入正常状态。
RUDW02G对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间,只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后,才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除,则不进入保护/恢复状态。
内部电路框图
产品特点
内置双N-MOS开关保护于一体
内置高精度电压检测电路
过充电检测电压4.28V,精度±0.05V;
或(过充电检测电压4.30V,精度±0.05V)
或(过充电检测电压4.25V,精度±0.05V)
过充电解除电压4.08V,精度±0.05V;
过放电检测电压2.7V,精度±0.1V;
或(过放电检测电压2.5V,精度±0.1V)
或(过放电检测电压2.3V,精度±0.1V)
过放电解除电压 3.0V,精度±0.1V;
过电流1检测电压0.15V,精度±0.03V;
负载短路检测电压0.72-1.75V;
单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
高精度的保护电压(过充/过放)检测
在过放电情况下进入低功耗模式
高精度过电流放电保护检测
电池短路保护
允许0V电池充电
最精简的外围3个元器件
超小型化的TSSOP8封装
应用
锂电池的充电、放电保护电路
典型应用
绝对最大额定值(除非特殊说明,所有管脚均以COM作为参考点)
注1:电压超过绝对最大额定值,可能会损坏芯片。芯片长久地工作在推荐的工作条件之上,可能会影响其可靠性。不建议芯片在推荐的工作条件之上长期工作。
注2:在任何情况下,不要超过PD。
直流特性
注:
1、如无特殊说明,所有的电压均相对于VSS而言的;
2、参加应用电路;
3、以上温度范围系设计保证值,并非高低温的实际测试筛选。
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