【产品】DFN3333-8L封装的-60V/-16A P沟道增强型MOSFET PJQ4465AP

2019-12-02 PANJIT
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PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4465AP（-60V/-16A）P沟道增强型MOSFET。

图1 实物图和内部结构图


PJQ4465AP P沟道增强型MOSFET特点：

•RDS(ON), VGS@-10V, ID@-5A<48mΩ

•RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3A<65mΩ

•开关速度快

•改进的dv/dt能力

•栅极电荷低

•反向传输电容低

•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准

•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准


PJQ4465AP P沟道增强型MOSFET机械数据：

•外壳：DFN3333-8L封装

•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

•重量约：0.001盎司，0.03克

表1 最大额定值

表2 电气特性

表3 订购信息


技术顾问：慎终如始
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P沟道增强型MOSFET PJQ4465AP MOSFET PANJIT 管状电机

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VGS(V)
ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
RDS(on) Max.(mΩ)10V
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ.(nC)10V
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低压MOS
SOT-23
P
Single
-30V
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