【产品】漏源电压150V的N沟道功率MOSFET JMSH1552AK/H,漏源导通电阻仅44mΩ
JMSH1552AK和JMSH1552AH是捷捷微电推出的N沟道功率MOSFET,分别采用TO252-3L和TO251-3L封装,具有超低漏源导通电阻、低栅极电荷、高电流能力等特性。在TA=25℃条件下,其漏源电压最大额定值为150V,栅源电压最大额定值为±20V。
产品参数概览
特性
超低漏源导通电阻
低栅极电荷
高电流能力
100%UIS测试,100%Rg测试
应用
电信、工业自动化、CE中的电源管理
DC/DC和AC/DC子系统中的电流开关
电动工具、电动汽车、机器人应用中的电机驱动
绝对最大额定值(@TA=25℃,除非另有说明)
1.计算的持续电流假设在TJ_Max的条件下,而实际的持续电流取决于热阻和机电应用板的设计
2.在TJ_Max=150°C下进行单脉冲测试
3.在以下条件下进行单脉冲测试[L=100μH、VGS=10V,VDS=75V],而其值受限于TJ_Max=150℃
4.耗散功率PD测试基于TJ_Max=150℃
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