【产品】SC70-6封装的双N沟道增强型MOSFET AM6N7002K,温度范围-55°C~150°C

2021-11-24 AiT
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AIT推出的AM6N7002K是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,AM6N7002K可以承受的绝对最大额定参数为:漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流0.29A、脉冲漏极电流1A、耗散功率0.26W。工作结温与存储温度范围均为-55°C~150°C。


产品描述:

VDS=60V
VGS=±20V
ID(A)=0.29A  
当VGS=10V 时, RDS(ON)=1.5Ω(典型值)
当VGS=4.5V 时,RDS(ON)=2.0Ω(典型值)
AM6N7002K采用SC70-6封装,引脚分布如下:

产品特性:

高速开关

ESD保护>±2kV HBM

采用SC70-6封装


应用:

便携式电器
模拟开关应用


订购信息:

N沟道MOSFET:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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对照表  -  AIT XLSX 英文 下载

AIT SJ MOS选型表

以下表格提供AIT SJ MOS选型,包含Type、VDSS(V)、ID(A) (25°C)、VGS(V)、RDS(ON)typ VGS=±10V(mΩ)、VGS(TH)(V) Max、Package七大选型参数可供选择。

产品型号
品类
ID(A) (25°C)
RDS(ON)typ VGS=±10V(mΩ)
VGS(TH)(V) Max
Type
VDSS(V)
VGS(V)
Package,Type
AM60R520
SJ MOS
8
470
4
N
600
±30
TO-220,TO-251,TO-252

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品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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品牌:Central Semiconductor

品类:MOSFETs

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品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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