【产品】SC70-6封装的双N沟道增强型MOSFET AM6N7002K,温度范围-55°C~150°C
AIT推出的AM6N7002K是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,AM6N7002K可以承受的绝对最大额定参数为:漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流0.29A、脉冲漏极电流1A、耗散功率0.26W。工作结温与存储温度范围均为-55°C~150°C。
产品描述:
VDS=60V
VGS=±20V
ID(A)=0.29A
当VGS=10V 时, RDS(ON)=1.5Ω(典型值)
当VGS=4.5V 时,RDS(ON)=2.0Ω(典型值)
AM6N7002K采用SC70-6封装,引脚分布如下:
产品特性:
高速开关
ESD保护>±2kV HBM
采用SC70-6封装
应用:
便携式电器
模拟开关应用
订购信息:
N沟道MOSFET:
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AIT AC-DC PWM控制器选型表
AIT提供AC-DC PWM控制器参数的选型,VDD (V):8V~265V;Frequency:40kHz~110kHz;多种封装:DIP7,DIP8,SOP7,SOP8,SOT-26。
产品型号
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品类
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Character
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VDD (V)
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SW Voltage(V)
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Frequency(kHz)
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RDS(ON)(Ω)
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Output Current(mA)
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Power(W) Adaptor
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Power(W) OpenFrame
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Package Type
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AP8263E6R
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AC-DC PWM控制器
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PWM
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12~25
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–
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65kHz
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–
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–
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–
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–
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SOT-26
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选型表 - AIT 立即选型
【应用】AiT SEMi已量产于无限遥控机顶盒,卫星调变器的Async 2A/24V 1.2MHz升压芯片A7632
AiT SEMi创瑞科A7632是一款是恒定频率、电流模式适用于小型、低功率的升压转换器,A7632开关频率为1.2MHz,并允许使用微型、低成本电容器和尺寸为2mm或更小高度的电感器。Async 2A/24V 1.2MHz升压芯片(Boost IC)A7632已在无线遥控机顶盒,卫星调变器,电视机顶盒等设备上有成功量产经验。
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品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.1090
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品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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