【应用】5KV电压隔离驱动器助力于光伏逆变器设计

时间： 2019-07-27 来源：世强作者：明

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太阳能光伏并网发电是太阳能利用的主要形式，而光伏逆变器又是其中主要的核心部分。光伏逆变器主要包括直流输入、DC-AC变换，滤波器、电网控制部分等组成；而DC-AC逆变部分中的驱动又是整个逆变的重要环节之一，直接影响到并网的成功与否，当前的驱动需要具备更高等级的电压隔离等级，能够带保护以及更大的驱动能力。SILICON LABS推出的隔离器Si828x系列适应这种潮流。

在逆变部分，光伏逆变器通常靠内部IGBT的开通和关断来调整输出电源的电压和频率，根据并网的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到高效目的。因电压高、电磁环境复杂等特殊情况，IGBT本身的驱动设计就是一大挑战！

图1为Si828x驱动IGBT的示意图， Si828x能提供4A驱动电流，具备工业隔离电压达5KVrms，高共模瞬态抗扰度达50kV/µs，具有高可靠性。Si828x用于监视IGBT过流的去饱和检测，Si828x驱动器使得开关处于可控制的闭合状态，同时更新故障状态到控制器，保护IGBT和系统。

Si828x的其他集成特性还包括分离输出、米勒钳位（Miller clamp）防止寄生性栅极导通、驱动器电源状态并把故障反馈到控制器。Si828x具有最快、最精确的定时特性，低传输延迟低于55ns。Si8286可以与HCPL316J 实现Pin to Pin的完美替换。因此Si828x是一款非常适合于光伏逆变器驱动的选择器件。

图1：Si828x驱动IGBT电路图

Si828x 的特性与优势：

• Silicon Labs的业界领先的隔离--5kV的增强

• 驱动电流高达4A

• 低传播延迟，低延迟和低偏差

• -40°C至125°C的温度规格

• 故障和电源状态反馈给控制器

• 米勒钳位防止寄生转

• 去饱和检测，可以防止IGBT损坏

• DC-DC集成开关：Si8281，Si8283（可变FSW和启动）

• DC-DC外部MOSFET：Si8282，Si8284（可变FSW和启动）

Silicon Labs Si8285/Si8286隔离门驱动器数据手册详情>>>

Silicon labs AN1009:驱动MOSFET和IGBT开关中Si828x 应用笔记详情>>>

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古月工 Lv8. 研究员 2018-12-27

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