【产品】60.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120B1/K1
WM1A040120B1、WM1A040120K1是中电国基南方集团的两款60.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通导通电阻50mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A040120B1晶片尺寸为4.6×5.0 mm2，WM1A040120K1采用TO-247-3封装。两款产品具有高阻断电压、低导通电阻，低电容、能高速开关等特点，并且易于并联使用，驱动简单。其优势在于系统效率更高，对散热冷却要求低。可以应用于光伏逆变器、高压DC/DC转换器、电机驱动、开关电源、脉冲功率应用等领域。
图1. WM1A040120B1产品尺寸信息
图2.WM1A040120K1产品尺寸信息
特性:
● 阻断电压高，导通电阻低
● 高速开关，电容低
● 容易并联，驱动简单
优势：
● 系统效率更高
● 冷却要求低
● 功率密度高
● 系统开关频率高
应用：
● 光伏逆变器
● 高压DC/DC转换器
● 电机驱动
● 开关电源
● 脉冲功率应用
最大额定值：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由翊翊所思翻译自中电国基南方，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】35.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A080120B/K
WM1A080120B、WM1A080120K是中电国基南方的35.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻80 mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A080120B晶片尺寸为3.0×4.5 mm²，WM1A080120K采用TO-247-3封装。两款产品具有阻断电压高、导通电阻低，电容低、能高速开关等特点，并且易于并联使用，驱动简单。
【产品】21A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A160120B1/K1
WM1A160120B1、WM1A160120K1是中电国基南方（CETC）推出的两款21A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻160 mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A160120B1晶片尺寸小，仅为2.44×3.33mm²，WM1A160120K1采用TO-247-3封装。
【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KE，采用TO-247N封装，可用于太阳能逆变器等领域
最近罗姆（ROHM）公司最近推出了一款TO-247N封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4036KE，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准。驱动电路简单，易于并联使用，可用于太阳能逆变器，DC/DC转换器，开关电源，感应加热和电机驱动。
WM2A040120L N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A040120L型号SiC功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频驱动等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- WM2A040120L
WM2A040170L N沟道SiC功率MOSFET G2 MOSFET技术
描述- 该资料详细介绍了CETC公司生产的WM2A040170L型号N-Channel SiC Power MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件采用G2 MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器和脉冲功率应用等。
型号- WM2A040170L
WM2A060065K N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了型号为WM2A060065K的N-通道碳化硅（SiC）功率MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性和封装尺寸。该器件采用第二代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻和高速度开关等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源、太阳能光伏逆变器和不间断电源等领域。
型号- WM2A060065K
WM2A030065L N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和快速内建二极管等特点。该器件适用于电动汽车充电、服务器电源供应、不间断电源（UPS）、太阳能光伏逆变器等领域。
型号- WM2A030065L
WSCM01KEA170T2C N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司生产的WSCM01KEA170T2C型号SiC功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻和高阻断电压，适用于高频操作和开关电源等领域。
型号- WSCM01KEA170T2C
WM2A020065N N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A020065N型号氮化镓（SiC）功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性，适用于电动汽车充电、服务器电源供应、太阳能光伏逆变器、不间断电源和直流/直流转换器等领域。
型号- WM2A020065N
WM2A040120K N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A040120K型号SiC功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频驱动等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- WM2A040120K
WSCM032J120T2C N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了WSCM032J120T2C型号的SiC功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于高开关频率操作，广泛应用于开关电源、脉冲功率应用、电机驱动器和电池充电器等领域。
型号- WSCM032J120T2C
WM2A020065L N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A020065L型号N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高容抗等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源供应、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和直流/直流转换器等领域。
型号- WM2A020065L
WM1A045170K N沟道SiC功率MOSFET
描述- 该资料介绍了中电国基南方集团有限公司生产的WM1A045170K型号N-通道碳化硅功率MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点，适用于太阳能逆变器、高压直流/直流转换器、电机驱动、开关模式电源和脉冲功率应用等领域。
型号- WM1A045170K
WSCM035R65T2C N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了WSCM035R65T2C型号的SiC功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于高开关频率操作，广泛应用于开关电源、脉冲功率应用、电机驱动器和电池充电器等领域。
型号- WSCM035R65T2C
WM2A020065K N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本文档介绍了N-Channel SiC Power MOSFET（碳化硅功率MOSFET）WM2A020065K的特性、优点和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和易于并联及驱动等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源供应、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和直流/直流转换器等领域。
型号- WM2A020065K
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论