【产品】60.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120B1/K1
WM1A040120B1、WM1A040120K1是中电国基南方集团的两款60.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通导通电阻50mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A040120B1晶片尺寸为4.6×5.0 mm2，WM1A040120K1采用TO-247-3封装。两款产品具有高阻断电压、低导通电阻，低电容、能高速开关等特点，并且易于并联使用，驱动简单。其优势在于系统效率更高，对散热冷却要求低。可以应用于光伏逆变器、高压DC/DC转换器、电机驱动、开关电源、脉冲功率应用等领域。
图1. WM1A040120B1产品尺寸信息
图2.WM1A040120K1产品尺寸信息
特性:
● 阻断电压高，导通电阻低
● 高速开关，电容低
● 容易并联，驱动简单
优势：
● 系统效率更高
● 冷却要求低
● 功率密度高
● 系统开关频率高
应用：
● 光伏逆变器
● 高压DC/DC转换器
● 电机驱动
● 开关电源
● 脉冲功率应用
最大额定值：
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