【产品】35V、300mW的N沟道结型场效应晶体管,专为VHF放大器和混频器应用而设计

时间： 2018-07-14 来源：CENTRAL

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N沟道结型场效应晶体管,JFET,2N4416AUB,Central Semiconductor

2N4416AUB是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道结型场效应晶体管。其采用UB表贴封装，并安装在密封包装中。该器件的功耗为300mW，可提高能源效率。2N4416AUB N沟道结型场效应晶体管专为VHF放大器和混频器应用而设计。

TA=25℃时，2N4416AUB N沟道结型场效应晶体管的栅极-漏极电压VGD最大值为35V，栅极-源极电压VGS最大值为35V，漏极-源极电压VDS为35V，栅极电流IG最大为10mA，其关断电压VGS(OFF)最大值为6.0V。另外，2N4416AUB N沟道结型场效应晶体管还具有很小的噪声系数。2N4416AUB N沟道结型场效应晶体管的工作和存储结温为-65℃~+200℃，具有较宽的工作温度。2N4416AUB N沟道结型场效应晶体管可用于振荡器，低噪声放大器，混频器领域。

图1 2N4416AUB N沟道结型场效应晶体管产品图

2N4416AUB N沟道结型场效应晶体管的产品特性：

• 采用高度可靠的密封封装

• 功耗：300mW

• 工作和存储结温:-65℃~+200℃

2N4416AUB N沟道结型场效应晶体管的应用领域：

• 振荡器

• 低噪声放大器

• 混频器

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