【产品】两款高电压、高增益的双极MOS晶体管,激光发生器的首选

2018-05-16 LITTELFUSE
高电压双极MOS晶体管,IXBA16N170AHV,IXBT16N170AHV,IXYS 高电压双极MOS晶体管,IXBA16N170AHV,IXBT16N170AHV,IXYS 高电压双极MOS晶体管,IXBA16N170AHV,IXBT16N170AHV,IXYS 高电压双极MOS晶体管,IXBA16N170AHV,IXBT16N170AHV,IXYS

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse的子公司IXYS推出的IXBA16N170AHVIXBT16N170AHV两系列双极MOS晶体管,采用反向并联二极管,具有高封装电压、高闭塞电压、高功率密度、低传导损失、低门极驱动要求的优点。TC=25℃时,产品的总功耗的最大值仅为150W。当VCE=0.5·VCES、VGE=15V、IC=10A时,产品的总闸极电荷的典型值为65nC。两系列双极MOS晶体管在开关模式和共振模式电源、不间断电源(UPS)、激光发生器、电容器放电电路、AC开关等领域可以产生很好的应用效果。


IXBA16N170AHV和IXBT16N170AHV两系列双极MOS晶体管电压相关参数:


IXBA16N170AHV和IXBT16N170AHV两系列双极MOS晶体管相关参数:


反向二极管的相关参数:


图1  两系列双极MOS晶体管


图2  两系列双极MOS晶体管线路图


图3  IXBA16N170AHV系列双极MOS晶体管尺寸图


图4  IXBA16N170AHV系列双极MOS晶体管尺寸图

 

IXBA16N170AHV系列和IXBT16N170AHV系列双极MOS晶体管突出特点与优势

·封装电压高

·闭塞电压高

·反向并联二极管

·低传导损失

·低门驱动要求

·高功率密度

 

IXBA16N170AHV系列和IXBT16N170AHV系列双极MOS晶体管应用领域

·开关模式和共振模式电源

·不间断电源(UPS)

·激光发生器

·电容器放电电路

·AC开关


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