【产品】工作频率高达5GHz/8.4GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CGHV50200F和CGHV96050F1

时间： 2018-11-06 来源：Wolfspeed

技术问答

WOLFSPEED（原CREE POWER独立更名）成立于1987年，在电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。能够提供业界一流的功率产品和专用的SiC材料供应，并且作为第一家能生产75mm，100mm和现在的150mm SiC晶圆的企业。该公司推出了可适应于卫星通讯的氮化镓高电子迁移率晶体管，CGHV50200F和CGHV96050F1。氮化镓高电子迁移率晶体管具有高效率，高增益，宽带宽的优势，可以适应于高频通信应用领域中。

CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及超视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数最小可以达到11.5dB和13dB。当器件在25℃条件下，其典型性能分别如下表所示：

表1 CGHV50200F的典型性能

表2 CGHV96050F1的典型性能

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其最大栅极电流为41.6mA/14.4mA，漏极电流为17A和6A。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，最大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。

图1 CGHV50200F氮化镓高迁移率晶体管的实物示意图

图2 CGHV96050F1氮化镓高迁移率晶体管实物示意图

图3 CGHV50200F氮化镓高迁移率晶体管的封装尺寸示意图

图4 CGHV96050F1氮化镓高迁移率晶体管的封装尺寸示意图

CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：

• 氮化镓高迁移率晶体管

• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz

• 典型输出功率分别为200W和50W

• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和最小可达到13dB

• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V

• 工作温度为-40℃~150℃

• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W

• 50Ω终端阻抗

CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：

• 卫星通讯

• 超视距通信

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音乐早茶 Lv4. 资深工程师 2018-11-08

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30787 Lv7. 资深专家 2018-11-06

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加一 Lv7. 资深专家 2018-11-06

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luose Lv8. 研究员 2018-11-06

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junhoo Lv6. 高级专家 2018-11-06

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RayDang Lv4. 资深工程师 2018-11-06

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型号- CGH27030P,CGHV96050F1,CGHV59350F,CGH40025F,CGHV40030P,CGH40025P,CGHV96050F2,CGH35030P,CGHV22200F,CGHV35400F,CGH27030F,CGHV40030F,CGH40010P,CGH27015F,CGHV27200F,CGH35015F,CGHV96100F2,CGH55015F2,CGH40010F,CGH55015F1,CGH35015P,CGHV35150F,CGH27015P,CGH55030F2,CGH55030F1,CGH55015P2,CGHV22100F,CGH55015P1,CGHV31500F,CGH31240F,CGH55030P2,CGHV14500F,CGH55030P1,CGH35240F,CGH35030F,CGHV27100F

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