【产品】微瓦级待机功率的AS6C8016A SRAM芯片，采用全CMOS工艺技术生产，总容量达8Mb
AS6C8016A是由美国ALLIANCE Memory公司推出的经典款静态随机存取存储器（即SRAM），该产品采用先进的全CMOS工艺技术制造生产。选用44引脚的TSOP2芯片级封装，优点是方便客户在主板系统的整体设计中使用该款SRAM。AS6C8016A SRAM芯片的容量达到了512K×16bit，即为8Mb，相当大的容量，可作为强大微处理器的主缓存使用，比如家用电脑的CPU主缓存，还能承受工业级的工作温度范围，为-40°C~+85°C。
图1 AS6C8016A静态随机存取存储器的封装尺寸示意图
AS6C8016A SRAM芯片的供电电压VCC的范围为2.7~3.6V，属于普通主板都能提供的弱电输入电压。当然，其作为SRAM最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，继续保存已经存储在芯片中的数据，并且其数据保存所需的电压VDR降低到1.5V最低，而所需的电流IDR更是低至4μA最大值，由此，AS6C8016A SRAM芯片待机保存功耗极低为微瓦级别，仅用电池供电也是能维持相当长的时间。其实这个优点很好理解，比如家用电脑主板上的CMOS SRAM芯片用电池供电，几乎是没有人会遇到电池没电，然后BIOS设置重置的情况，生活中的实例就是这样的。
图2 AS6C8016A SRAM芯片的功能模块示意图
AS6C8016A SRAM芯片相比DRAM的优点在于不需要刷新电路就能保存内部存储的数据，而且更为快速、低功耗。读写延时在55ns左右，可谓是响应极其迅速的一款产品，适合用在需高速数据传输的设备当中。另外，AS6C8016A SRAM芯片的功耗也是极低的，其工作电流ICC1的最大值为4mA，待机电流ISB1的典型值仅2μA，在考虑其工作电压和待机电压的数值，其工作功耗应在毫瓦级别，而待机功耗更是低至微瓦级别。其最大额定功耗值PD达到了1W的标准，能看出该芯片的电气可靠性相当不错，能耐受一定的大功耗冲击。同时AS6C8016A SRAM芯片的最大额定电压耐受范围为-0.2~4.0V，比较VCC的供电范围2.7~3.6V，只要主板能正常供电，那就没有问题。不错的工业级工作温度范围，耐寒耐热的工作稳定性也有了一定的保障。
AS6C8016A SRAM芯片的主要特点：
• 全CMOS SRAM芯片
• 结构为512K×16bit，总容量达8Mb
• 电源电压范围：2.7V ~ 3.6V
• 数据保存电压极低为1.5V（最低值）
• 功率损耗极低，待机状态为微瓦级，可用电池长期供电
• 最大额定功耗值PD为1W，电气可靠性良好
• 三态输出，可兼容TTL（逻辑门）电路
• 工业级工作温度范围：-40°C~+85°C
• 44引脚的TSOP2芯片级封装
• 单芯片使用时，A6为悬空脚
• 所有部件都符合RoHS环境标准
AS6C8016A SRAM芯片的典型应用：
• CPU的高速缓存
• 硬盘缓冲区
• 路由器缓冲区
• 打印机SRAM缓存
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
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3
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选型表 - ALLIANCE 立即选型
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