【产品】微瓦级待机功率的AS6C8016A SRAM芯片，采用全CMOS工艺技术生产，总容量达8Mb

时间： 2018-11-06 来源：Alliance

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AS6C8016A是由美国ALLIANCE Memory公司推出的经典款静态随机存取存储器（即SRAM），该产品采用先进的全CMOS工艺技术制造生产。选用44引脚的TSOP2芯片级封装，优点是方便客户在主板系统的整体设计中使用该款SRAM。AS6C8016A SRAM芯片的容量达到了512K×16bit，即为8Mb，相当大的容量，可作为强大微处理器的主缓存使用，比如家用电脑的CPU主缓存，还能承受工业级的工作温度范围，为-40°C~+85°C。

图1 AS6C8016A静态随机存取存储器的封装尺寸示意图

AS6C8016A SRAM芯片的供电电压V_CC的范围为2.7~3.6V，属于普通主板都能提供的弱电输入电压。当然，其作为SRAM最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，继续保存已经存储在芯片中的数据，并且其数据保存所需的电压V_DR降低到1.5V最低，而所需的电流I_DR更是低至4μA最大值，由此，AS6C8016A SRAM芯片待机保存功耗极低为微瓦级别，仅用电池供电也是能维持相当长的时间。其实这个优点很好理解，比如家用电脑主板上的CMOS SRAM芯片用电池供电，几乎是没有人会遇到电池没电，然后BIOS设置重置的情况，生活中的实例就是这样的。

图2 AS6C8016A SRAM芯片的功能模块示意图

AS6C8016A SRAM芯片相比DRAM的优点在于不需要刷新电路就能保存内部存储的数据，而且更为快速、低功耗。读写延时在55ns左右，可谓是响应极其迅速的一款产品，适合用在需高速数据传输的设备当中。另外，AS6C8016A SRAM芯片的功耗也是极低的，其工作电流I_CC1的最大值为4mA，待机电流I_SB1的典型值仅2μA，在考虑其工作电压和待机电压的数值，其工作功耗应在毫瓦级别，而待机功耗更是低至微瓦级别。其最大额定功耗值P_D达到了1W的标准，能看出该芯片的电气可靠性相当不错，能耐受一定的大功耗冲击。同时AS6C8016A SRAM芯片的最大额定电压耐受范围为-0.2~4.0V，比较V_CC的供电范围2.7~3.6V，只要主板能正常供电，那就没有问题。不错的工业级工作温度范围，耐寒耐热的工作稳定性也有了一定的保障。

AS6C8016A SRAM芯片的主要特点：

• 全CMOS SRAM芯片

• 结构为512K×16bit，总容量达8Mb

• 电源电压范围：2.7V ~ 3.6V

• 数据保存电压极低为1.5V（最低值）

• 功率损耗极低，待机状态为微瓦级，可用电池长期供电

• 最大额定功耗值P_D为1W，电气可靠性良好

• 三态输出，可兼容TTL（逻辑门）电路

• 工业级工作温度范围：-40°C~+85°C

• 44引脚的TSOP2芯片级封装

• 单芯片使用时，A6为悬空脚

• 所有部件都符合RoHS环境标准

AS6C8016A SRAM芯片的典型应用：

• CPU的高速缓存

• 硬盘缓冲区

• 路由器缓冲区

• 打印机SRAM缓存

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全部评论（4）

用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-06

不错
自信 Lv5. 技术专家 2018-11-06

学习
uu Lv3. 高级工程师 2018-11-06

学习了。
脚滩头 Lv6. 高级专家 2018-11-06

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产品型号	品类	Product Family	DENSITY	ORGANISATION	VCC(V)	TEMPERATURE RANGE(°C)	PACKAGE	MSL LEVEL
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