【产品】最高速率达1600Mb/s的DDR3L DRAM

时间： 2017-07-07 来源：Alliance（世强编辑整理）

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存储器,AS4C128M16D3LA,AS4C128M8D3LA,AS4C256M8D3LA

半导体存储器领导品牌ALLIANCE推出四款第三代低压双倍速率动态随机存储器（DDR3L DRAM）——AS4C64M16D3LA-12BAN/AS4C128M8D3LA-12BAN/AS4C128M16D3LA-12BAN/AS4C256M8D3LA-12BAN。该系列存储器兼容JEDEC标准规范，内部配有8 bank DRAM，并采用双倍速率架构来实现高速操作。此外，该系列存储器还支持JEDEC时钟抖动规范，有效地保证了数据在传输过程中的稳定性。在普通应用中，该系列存储器的双数据转换率可达1600Mb/sec/pin，可广泛应用于商业、工业以及汽车等高速率读写领域。

该系列存储器采用8n-bit预存取架构，最快时钟频率可达800MHz。同时，还具有管线式内部架构和预充电与自动掉电功能，可编程突发长度为4、8，突发采用顺序或者交织方式。该系列存储器具有DDR3L的所有关键特性，采用全同步操作，所有地址与控制输入的同步由外部的一对差分时钟来提供。其工作电压为1.35V，工作温度为-40℃~105℃。

这四款产品最大的差异在于其容量大小、内部组织形式及其封装结构的不同。AS4C64M16D3LA-12BAN内部组织形式为8Mbit×16I/Os×8bank，容量为1Gb；AS4C128M8D3LA-12BAN内部组织形式为16Mbit×8I/Os×8bank，容量为1Gb；AS4C128M16D3LA-12BAN内部组织形式为16Mbit×16I/Os×8bank，容量为2Gb；AS4C256M8D3LA-12BAN内部组织形式为32Mbit×8I/Os×8bank，容量为2Gb。AS4C64M16D3LA-12BAN\AS4C128M16D3LA-12BAN采用96球FBGA封装，封装尺寸8×13×1.0mm。AS4C128M8D3LA-12BAN\ AS4C256M8D3LA-12BAN采用78球FBGA封装，封装尺寸8×10.5×1.0mm。

共同特性：

• JEDEC标准兼容

• 工作电压：V_DD&V_DDQ=+1.35V

• 向后兼容至V_DD&V_DDQ=1.5V±0.075V

• 符合AEC-Q100标准

• 工作温度：-40℃~105℃

• 快速时钟频率：800MHz

• 全同步操作

• 支持JEDEC抖动规范

• 8n-bit预存取架构

• 突发长度：4 ，8

• 符合RoHS规范

Alliance AS4C128M8D3LA-12BAN DDR3数据手册详情>>>

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大胖 Lv6. 高级专家 2018-09-01

支持下
老杰克 Lv7. 资深专家 2018-01-14

good
大周 Lv5. 技术专家 2018-01-04

先收藏，后学习
xiasummer Lv7. 资深专家 2017-12-10

收藏学习一下
LWR Lv4. 资深工程师 2017-11-25

很棒

shurenzhi Lv4. 资深工程师 2017-11-20

写速度杠杠的
suuny Lv3. 高级工程师 2017-10-06

厉害

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NOR FLASH主要用于存储程序，而PSRAM（或SDRAM）则是用于存储运行时的数据，单独的NOR FLASH 和PSRAM（或SDRAM）芯片，在引脚封装、接口定义、主频上是不兼容的，所以不能用一个元器件的封装来兼容两个不同类别的存储器。但针对手机应用，由于体积和重量限制，是有用将NOR FLASH 和PSRAM封装到一起的存储器芯片的。目前我们代理的存储器品牌ALLIANCE，有用于手机的存储器DDR1（256Mb,512Mb,1Gb和2Gb，宽度16位和32位，主频166MHZ和200MHZ）,DDR2（1Gb,2Gb,4Gb和8Gb，宽度16位和32位，主频400MHZ和533MHZ）如：4Gb的AS4C128M32MD2，8Gb的AS4C256M32MD2和DDR3（16Gb,宽度32位，主频667MHZ）：16Gb的AS4C512M32MD3-15BCN，没有这种将NOR FLASH 和PSRAM（SDRAM）封装到一起的存储器芯片。