【产品】最高速率达1600Mb/s的DDR3L DRAM

时间： 2017-07-07 来源：Alliance（世强编辑整理）

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存储器,AS4C128M16D3LA,AS4C128M8D3LA,AS4C256M8D3LA

半导体存储器领导品牌ALLIANCE推出四款第三代低压双倍速率动态随机存储器（DDR3L DRAM）——AS4C64M16D3LA-12BAN/AS4C128M8D3LA-12BAN/AS4C128M16D3LA-12BAN/AS4C256M8D3LA-12BAN。该系列存储器兼容JEDEC标准规范，内部配有8 bank DRAM，并采用双倍速率架构来实现高速操作。此外，该系列存储器还支持JEDEC时钟抖动规范，有效地保证了数据在传输过程中的稳定性。在普通应用中，该系列存储器的双数据转换率可达1600Mb/sec/pin，可广泛应用于商业、工业以及汽车等高速率读写领域。

该系列存储器采用8n-bit预存取架构，最快时钟频率可达800MHz。同时，还具有管线式内部架构和预充电与自动掉电功能，可编程突发长度为4、8，突发采用顺序或者交织方式。该系列存储器具有DDR3L的所有关键特性，采用全同步操作，所有地址与控制输入的同步由外部的一对差分时钟来提供。其工作电压为1.35V，工作温度为-40℃~105℃。

这四款产品最大的差异在于其容量大小、内部组织形式及其封装结构的不同。AS4C64M16D3LA-12BAN内部组织形式为8Mbit×16I/Os×8bank，容量为1Gb；AS4C128M8D3LA-12BAN内部组织形式为16Mbit×8I/Os×8bank，容量为1Gb；AS4C128M16D3LA-12BAN内部组织形式为16Mbit×16I/Os×8bank，容量为2Gb；AS4C256M8D3LA-12BAN内部组织形式为32Mbit×8I/Os×8bank，容量为2Gb。AS4C64M16D3LA-12BAN\AS4C128M16D3LA-12BAN采用96球FBGA封装，封装尺寸8×13×1.0mm。AS4C128M8D3LA-12BAN\ AS4C256M8D3LA-12BAN采用78球FBGA封装，封装尺寸8×10.5×1.0mm。

共同特性：

• JEDEC标准兼容

• 工作电压：V_DD&V_DDQ=+1.35V

• 向后兼容至V_DD&V_DDQ=1.5V±0.075V

• 符合AEC-Q100标准

• 工作温度：-40℃~105℃

• 快速时钟频率：800MHz

• 全同步操作

• 支持JEDEC抖动规范

• 8n-bit预存取架构

• 突发长度：4 ，8

• 符合RoHS规范

Alliance AS4C128M8D3LA-12BAN DDR3数据手册详情>>>

Alliance AS4C128M16D3LA-12BAN DDR3数据手册详情>>>

Alliance AS4C256M8D3LA-12BAN DDR3 数据手册详情>>>

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大胖 Lv6. 高级专家 2018-09-01

支持下
老杰克 Lv7. 资深专家 2018-01-14

good
大周 Lv5. 技术专家 2018-01-04

先收藏，后学习
xiasummer Lv7. 资深专家 2017-12-10

收藏学习一下
LWR Lv4. 资深工程师 2017-11-25

很棒

shurenzhi Lv4. 资深工程师 2017-11-20

写速度杠杠的
suuny Lv3. 高级工程师 2017-10-06

厉害

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【产品】4M（256K×16bit）低功率CMOS静态随机存取存储器，存取速度可达45 ns

Alliance的AS6C4016A是4M（256 K × 16 bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。与CYPRESS赛普拉斯存储器CY62147EV30LL-45ZSXI、CY62146GN30-45ZSXI、CY621472G30-45ZSXI属于pin对pin关系，但是AS6C4016A-45ZIN价格相比它们要便宜10%以上，在工业及汽车领域非常有优势。

2018-07-28 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】低功耗CMOS双倍速率同步动态随机存储器，便携式设备专用的

Alliance公司的高速移动CMOS工艺的双倍速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)，是为需要增加效率和扩展电池寿命的简洁性便携式设备而设计的，其囊括1.7V到1.95V低功耗供电，从256M位，512M位，1G位，2G位的存储容量。

2019-07-02 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】512Mbit单数据速率的同步动态随机存储器，存储器配置为4个bank

ALLIANCE最近推出了一款新型512Mbit 单数据速率的同步动态随机存储器（SDRAM——AS4C32M16SA。AS4C32M16SA的存储器配置为4个bank，内存组织形式为4banks×8Mbit×16

2016-07-22 - 新产品代理服务技术支持采购服务

ALLIANCE 存储器选型表

提供存储器、存储芯片、SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3、DDR4选型，VCC(V)：0.6-5，MSL LEVEL：0-5，CLOCK(MHz)：133-1866，可支持商业级/工业级/汽车级。

产品型号	品类	Product Family	DENSITY	ORGANISATION	VCC(V)	TEMPERATURE RANGE(°C)	PACKAGE	MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN	存储器	FAST-Asynch	64K Fast	8K x 8	5V	Commercial (0 ~ 70°C)	28pin SOJ(300mil)	3

选型表 - ALLIANCE 立即选型

AT24C16D串行电可擦除编程只读存储器

AT24C16D是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具备2048个字节的存储空间，适用于仪器仪表及工业自动化控制等领域。其特点包括宽电压工作范围、低功耗设计、自定时编程周期、施密特触发器和硬件数据写保护等功能。

英锐芯 - EEPROM,电可擦可编程只读存储器,串行电可擦除编程只读存储器,AT24C16,AT24C16D,仪器仪表,家用电器,工业控制,智能仪器仪表,笔记本电脑,工业自动化控制,汽车电子,通信设备,计算机

2022年5月 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

公司及新型存储器产品介绍

舜铭存储公司专注于新型铁电存储器研发与销售，拥有多项专利技术，产品涵盖小至4Mb以下、中至8Mb-256Mb、大至Gb级别市场。公司通过材料技术创新和存储器架构创新，实现高密度、低成本、低功耗，满足消费级、工控级等不同应用需求。舜铭存储产品已广泛应用于5G通信、工控仪表、可穿戴设备、工业4.0、网络设备等领域。

舜铭存储 - 故障估计机,新型FRAM,MRAM,毫米,铁电存储模块,存储器,FRAM,铁电存储器,RRAM,PCRAM,新型铁电存储器,新型存储器,工业4.0,磁盘阵列,工控仪表,可穿戴,AI芯片,数据中心,企业级SSD,终端设备,5G通信,5G基站,边缘计算,智能家居,NVDIMM,网络设备,耗材医疗,汽车电子

230412 - 商品及供应商介绍 - Ver.230412 代理服务技术支持采购服务

Alliance Memory AS4C16M16SA-C&I数据手册

该资料为AS4C16M16SA-C&I型同步动态随机存取存储器（SDRAM）的数据手册。内容包括产品概述、特性、关键规格参数、引脚分配图、功能框图、引脚描述、操作模式、命令说明等。

ALLIANCE - 256M – (16MX16BIT) SYNCHRONOUS DRAM (SDRAM),256M–（16MX16BIT）同步DRAM（SDRAM）,存储器,AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA-C&I,AS4C16M16SA,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN,工业电子,汽车电子,通信设备

2015年03月01日 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

一个通信设备中需要选择一颗EMMC存储器件，要求容量64GB，温度满足工业级以上，请问有没有合适推荐？

你好，推荐一颗江波龙的FEMDME064G-A8A58，温度等级满足-40℃~+105℃，可靠性高，可参考资料：https://www.sekorm.com/news/31910676.html

2023-06-29 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

AD24C02串行电可擦除编程只读存储器

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具备256个字节的存储容量，采用低功耗CMOS技术和自定时编程周期。产品适用于多种封装形式，包括SOT23-5、SOP-8和PDIP-8，广泛应用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。

英锐芯 - 串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM),串行电可擦除编程只读存储器,AD24C02,仪器仪表,家用电器,工业自动化,工业控制,智能仪器仪表,笔记本电脑,汽车电子,通信设备,计算机

2022年5月 - 数据手册 - Ver1.1 代理服务技术支持采购服务

主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作，存在概率性失败。从Flash存储器中读数据也是异常，请问这时什么原因导致的？

检查程序中的中断设置，发现是有一处读操作没有关闭中断导致的，将中断关闭后，对EFM8BB10F8G MCU的Flash进行读、写，存在概率性失败的情况得到解决。因为主控MCU用的是ARM芯片，运行的是linux操作系统，所以主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作的函数也是以驱动程序的形式存在的，并且系统中各种软硬中断也比较频繁，因此相对时序控制上也需要更加严格，才能保证可靠的读写操作。

2016-10-25 - 技术问答

【产品】可存储8192个字节数据的串行电可擦除编程只读存储器AD24C64，宽电压工作范围1.8～5.5V

英锐芯推出的AD24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器（EEPROM）。存储器可存储8192个字节数据，分为256页每页32字节，随机字寻址需要13位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。

2023-03-28 - 产品代理服务技术支持采购服务

铁电随机存储器FRAM 具有丰富量产业绩的、高质量、高可靠性存储器FRAM

本文介绍了FRAM（铁电随机存取存储器）的技术特点和应用。FRAM具有非易失性、高速读写、低功耗等优点，适用于汽车电子、RFID等领域。文章详细阐述了FRAM的工作原理、性能参数、封装形式以及与EEPROM、FLASH等存储器的比较。此外，还介绍了FRAM在汽车电子、RFID等领域的应用案例。

FUJITSU - 铁电随机存储器,MB85RS128B,MB97R8110,MB97R8130,MB85RS16N,MB97R8050,MB85RS64TU,MB85R256F,MB85RDP16LX(*),MB89R119B,MB85RS256B,MB85RC16,MB85RC512T,MB85RS2MTA,MB85RC1MT,MB85RC64V,MB85RS64,MB97R8120,MB85RDP16LX,MB85RS128T,MB85RS512T,MB85RS256TY,MB85RC64TA,MB85RC128A,MB89R112B,MB94R330,MB85RS128TY,MB89R112A,MB85R4M2T,MB85RS64T,MB89R118C,MB85RC256V,MB85RQ4ML,MB85RC04V,MB85RC16V,MB85RS1MT,MB85RS64V

September 2017 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【产品】串行电可擦除编程只读存储器AD24C32，1.8V～5.5V宽电压工作范围，可存储4096个字节数据

英锐芯推出的AD24C32是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储4096个字节数据，分为128页每页32字节，随机字寻址需要12位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，该产品为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

2023-03-25 - 产品代理服务技术支持采购服务

Alliance Memory 同步动态随机存储器AS4C16M16SA-Automotive数据手册

该资料为AS4C8M16SA汽车级同步动态随机存取存储器（SDRAM）的数据手册。内容包括产品概述、技术规格、引脚分配图、功能框图、操作模式、命令说明等。

ALLIANCE - 存储器,128M – (8M X 16 BIT) SYNCHRONOUS DRAM (SDRAM),128M–（8M X 16位）同步DRAM（SDRAM）,AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C8M16SA-6BAN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA,AS4C8M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C8M16SA,AS4C16M16SA-7BCN,非常适合需要高内存带宽的应用，尤其适合高性能PC应用。,工业电子,WELL SUITED FOR APPLICATIONS REQUIRING HIGH MEMORY BANDWIDTH AND PARTICULARLY WELL SUITED TO HIGH PERFORMANCE PC APPLICATIONS.,汽车电子,通信设备

2015年03月01日 - 数据手册 - Rev. 2.0 代理服务技术支持采购服务