【产品】无线电源最佳选择，开关转换速度在亚纳秒范围内的氮化镓晶体管

EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）

描述- 本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。

型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

EPC9126开发板 物料清单

描述- 该资料为EPC9126元器件的物料清单（BOM），详细列出了该元器件的各个组成部分、数量、参考编号、描述和制造商零件编号。包括电容、二极管、激光二极管、磁珠、连接器、电阻、晶体管、比较器和门驱动器等。

型号- EPC9126

EPC（宜普）EPC2019增强型功率晶体管数据手册

描述- 本资料为EPC2019型增强模式功率晶体管（eGaN® FET）的数据表。该器件采用氮化镓技术制造，具有高电子迁移率和低温度系数，实现极低的RDS(on)。其横向器件结构和多数载体二极管提供超低QG和零QRR，适用于高速直流-直流转换、Class-D音频和高频硬切换电路。

型号- EPC2019

EPC（宜普）氮化镓功率晶体管的基础应用笔记（中文版）

描述- 本文介绍了氮化镓功率晶体管的基础知识，包括其性能、可靠性、管控性和成本效益。文章重点介绍了宜普电源转换公司的氮化镓晶体管产品，其具有高导电性、极快开关和与硅器件相似的制造成本。文章详细解释了氮化镓晶体管的工作原理、结构特点以及与硅MOSFET的比较，强调了其在高频、低负载周期功率转换方面的优势。此外，文章还讨论了氮化镓晶体管在音频放大器、信息处理和储存系统等领域的应用价值。

型号- EPC1001,EPC1010

EPC9126开发板 Gerber 文档

型号- EPC9126

EPC（宜普）第5代eGaN®技术性能量子飞跃应用笔记（AN022）

描述- Efficient Power Conversion Corporation (EPC) 推出了第五代 eGaN® 技术，该技术将产品尺寸减半，同时提供显著更高的性能。Gen 5 eGaN® 技术在相同电阻和电压等级下，芯片尺寸比硅 MOSFET 小得多，具有更低的电容，从而降低栅极驱动损耗和开关损耗。此外，Gen 5 产品在小型化设计的同时，提高了性能和降低了成本。

型号- EPC2047,EPC2046,EPC2045

EPC（宜普）EPC2036增强型功率晶体管数据手册

描述- 本资料介绍了EPC2036增强型功率晶体管（Power Transistor）的技术规格和应用。该器件采用氮化镓技术，具有高电子迁移率和低温度系数，实现极低的导通电阻和优异的开关性能。适用于高速直流转换、无线电力传输、高频硬切换和软切换电路、激光雷达脉冲电源应用以及类D音频等领域。

型号- EPC2036

EPC9101开发板 Gerber 文档

型号- EPC9101

EPC（宜普）EPC2035增强型功率晶体管数据手册

描述- 本资料介绍了EPC2035增强型功率晶体管（eGaN® FET）的技术规格和应用。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高效率和高频率切换能力，适用于高速直流-直流转换、无线电力传输、高频硬开关和软开关电路以及激光雷达/脉冲电源应用。

型号- EPC2035

EPC（宜普）EPC2034增强型功率晶体管数据手册

描述- 本资料为EPC2034增强型功率晶体管（eGaN® FET）的数据表。该器件采用氮化镓技术制造，具有高电子迁移率和低温度系数，实现极低的导通电阻和优异的开关性能。数据表中包含了最大额定值、静态特性、热特性和电容特性等内容。

型号- EPC2034

EPC9107开发板 Gerber 文档

型号- EPC9107

EPC（宜普）通过GaN晶体管实现包络跟踪

描述- 本文探讨了使用氮化镓（GaN）晶体管实现包络跟踪（ET）技术，以提高功率放大器（PA）的效率。文章介绍了ET技术的优势，如降低峰值平均功率比（PAPR）和提高效率。此外，文章详细介绍了eGaN® FET在ET应用中的性能，包括开关频率、损耗和布局设计。最后，文章展望了eGaN® FET技术的未来发展方向。

型号- EPC8009,EPC8008,EPC8010,EPC8003,EPC8002,EPC8007,EPC8005,EPC8004

EPC（宜普）GaN晶体管商品介绍

描述- 本文探讨了GaN晶体管在元器件行业中的应用和发展。内容涵盖了GaN晶体管的技术进步、可靠性测试、效率提升以及其在不同领域的应用。文章重点介绍了EPC公司GaN晶体管的产品线，包括不同代际的产品和其在硬开关降压转换器、无线充电、 envelope tracking等领域的应用。此外，文章还讨论了GaN技术对摩尔定律的复兴和半导体市场的影响。

型号- EPC2016,EPC2015,EPC2019,EPC2001

EPC9065开发板 Gerber 文档

型号- EPC9065