Empower扩展业界最高性能、最小尺寸和最可配置的电容器，封装及组件数量更小，有效降低BOM成本
2022年7月12日，集成稳压器(IVR)的全球领导者Empower Semiconductor宣布，它已通过新技术扩展了其E-CAP™硅电容器系列，这些技术在密度和性能方面取得了进一步突破。最新的Empower E-CAP™技术代表了业界最高性能、最小尺寸和最可配置的电容器技术平台。
E-CAP将多个分立电容集成到单个固态器件中，是世界上最薄、最紧凑和最灵活的电容器解决方案。该技术使电容器密度达到领先多层陶瓷电容器（MLCC）的五倍以上，以及具有改进的等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)特性，可显着降低寄生效应。
最新的E-CAP解决方案采用最先进的沟槽电容器技术设计，提供1.1µF/mm2的密度，是替代硅电容器技术密度的两倍多。除了密度之外，总高度的厚度水平也可以达到50µm以下。从75pF到5µF(@2V)的多个匹配电容值可以集成到单个芯片中以创建定制的集成电容器阵列，同时可以根据特定应用的空间和高度限制定制形状因子。基于凸块、焊盘和柱的封装选项允许设计人员根据特定系统限制选择最佳解决方案。
Empower的销售和营销高级副总裁SteveShultis说：“E-CAP提供了一种卓越的高频去耦解决方案，其封装和组件数量比传统的基于MLCC的解决方案小得多。”“我们的技术为物联网、可穿戴设备、移动设备和处理器等要求苛刻的应用提供了新的选择，在这些应用中，尺寸、性能和灵活性至关重要。密度和性能的最新改进使E-CAP成为下一代数据密集型系统的理想选择，这些系统要求高频操作，并以最小的外形尺寸实现最大效率。”
使用E-CAP，设计人员可以将所有非大容量、高频去耦电容器组合到一个芯片中，以显着减少元件数量、BoM成本和潜在的故障点。尽管E-CAP具有较低的标称电容，但它们优于MLCC的频率响应和ESL导致高频下的阻抗较低。与需要多个器件来解决电压、温度和老化引起的降额的MLCC不同，E-CAP不需要交流或直流偏置降额，而所有其他降额要求都可以忽略不计。这样就无需“过度指定”电容要求来解决降额问题。
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