【选型】P沟道增强型MOSFET PJL9415可pin-to-pin替代ONSEMI FDS6675BZ
最近有客户选用ONSEMI的FDS6675BZ，因交期和价格问题需要一款国产的替代物料，本文主要介绍PANJIT的P沟道增强型MOSFET——PJL9415替代ONSEMI的FDS6675BZ，其典型参数对比图如下所示。
图1 FDS6675BZ和PJL9415的典型电性能参数对比图
从上述对比图可以看出：
1.PJL9415的各参数都基本匹配FDS6675BZ的性能需求；
2.在功耗方面，VGS=10V的条件下， PJL9415的导通电阻为9.5mΩ，略小于ONSEMI的FDS6675BZ，对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗就越小。同时，PJL9415的耗散功率仅为1.7W，比FDS6675BZ的耗散功率小，实现更低的功耗，有助于降低整个产品的功耗；
3.在脉冲漏极电流方面，PJL9415的脉冲漏极电流为55A，大于FDS6675BZ的48A，能够有效地避免尖峰电流的伤害；
4.两个物料的封装及引脚完全相同，可以实现pin to pin替换，减少产品替换验证时间。
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强茂（PANJIT）MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)10V
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ.(nC)10V
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PJA3403_R1_00001
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低压MOS
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SOT-23
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P
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Single
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-30V
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12V
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-3.1A
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165mΩ
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114mΩ
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98mΩ
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443pF
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-1.3V
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11nc
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选型表 - PANJIT 立即选型
PJQ4439EP 30V P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PJQ4439EP型30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET的特性、电气参数、典型特性曲线、产品包装信息等。该MOSFET具有低导通电阻、高可靠性、符合欧盟RoHS 2.0标准等特点，适用于多种电子设备。
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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AEC-Q101 Qualified
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N
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Single
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40
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136
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选型表 - PANJIT 立即选型
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型号- PJQ5839E-AU
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品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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现货市场
服务
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
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授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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