【选型】P沟道增强型MOSFET PJL9415可pin-to-pin替代ONSEMI FDS6675BZ
最近有客户选用ONSEMI的FDS6675BZ，因交期和价格问题需要一款国产的替代物料，本文主要介绍PANJIT的P沟道增强型MOSFET——PJL9415替代ONSEMI的FDS6675BZ，其典型参数对比图如下所示。
图1 FDS6675BZ和PJL9415的典型电性能参数对比图
从上述对比图可以看出：
1.PJL9415的各参数都基本匹配FDS6675BZ的性能需求；
2.在功耗方面，VGS=10V的条件下， PJL9415的导通电阻为9.5mΩ，略小于ONSEMI的FDS6675BZ，对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗就越小。同时，PJL9415的耗散功率仅为1.7W，比FDS6675BZ的耗散功率小，实现更低的功耗，有助于降低整个产品的功耗；
3.在脉冲漏极电流方面，PJL9415的脉冲漏极电流为55A，大于FDS6675BZ的48A，能够有效地避免尖峰电流的伤害；
4.两个物料的封装及引脚完全相同，可以实现pin to pin替换，减少产品替换验证时间。
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