【产品】20V/3A N沟道增强型MOSFET SI2302,导通电阻低至28mΩ

2022-03-25 辰达行
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辰达行(MDD)推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET SI2302,采用高密度单元设计实现超低导通电阻,漏源导通电阻RDS(on)为28mΩ @ 4.5V ,32mΩ @ 3.3V,漏源电压V(BR)DSS为20V,漏极连续电流ID为3.0A。      

                         

                                                                      SI2302的封装和等效电路


产品特征

●先进的沟槽工艺技术

●采用高密度单元设计实现超低导通电阻


最大额定值(Ta=25°C,除非另有说明)


注:

脉冲漏极电流:脉冲宽度受最大结温限制;最大耗散功率:表贴在 FR4 板上,t≤ 5 秒。


订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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产品型号
品类
PD(W)
ID(A)
VBR(DSS)(V)
RDS (ON)(MAX)(Ω)
RDS (ON)(MAX)ID(A)
RDS (ON)(MAX)VGS(V)
VGS (th)(V)
VGS (th)(V)ID(uA)
GFS(S)
GFS VDS(V)
Package
BSS138
MOS管
0.3
0.5
50
2
0.5
10
1.5
0.25
100
10
SOT-23

选型表  -  MDD 立即选型

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2022/11/29  - 数据手册  - V 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

MDD7N65F/MDD7N65P/MDD 650V N沟道增强型MOSFET(TO-220F-3L/TO-220-3L/TO-252)

本资料介绍了MDD7N65F/MDD7N65P/MDD7N65D系列650V N-Channel增强型MOSFET的特性。该器件具有超低栅极电荷、低反向转移电容、快速开关能力等特点,适用于高效率开关电源、电子镇流器和LED电源等领域。

MDD  -  N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,MDD7N65F,MDD7N65D,MDD7N65P,ELECTRONIC LAMP BALLASTS BASED ON HALF BRIDGE,LED POWER SUPPLIES,HIGH EFECIENCY SWITCH MODE POWER SUPPLIES,高效开关模式电源,基于半桥的电子灯镇流器,LED电源

2023/2/28  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

MDD3400 30V N沟道增强型MOSFET(SOT-23)

本资料介绍了MDD3400型30V N-Channel增强模式MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器。

MDD  -  N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,MDD3400,PORTABLE DEVICES,便携式设备,LOAD SWITCH,DC/DC变换器,DC/DC CONVERTER,负载开关

2023/2/17  - 数据手册  - V 1.0 代理服务 技术支持 采购服务
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品牌:MDD

品类:N沟道增强型MOS管

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品牌:华轩阳电子

品类:N型场效应晶体管

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品牌:合科泰电子

品类:MOS管

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品牌:BORN

品类:场效应管

价格:¥0.0915

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品牌:固得沃克

品类:MOSFET

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品牌:明德微

品类:场效应管

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品牌:台舟电子

品类:Transistor

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品牌:MDD

品类:N-Channel Enhancement MOSFET

价格:¥0.1353

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品牌:MDD

品类:N-Channel Enhancement MOSFET

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品牌:PANJIT

品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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品牌:DCY

品类:MOSFET

价格:¥2.0000

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品牌:MDD

品类:贴片肖特基二极管

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粘结钕铁硼磁铁定制

可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,

最小起订量: 1 提交需求>

位移传感器量程定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

最小起订量: 1 提交需求>

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授权代理品牌:电子材料

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