【产品】1200V 17mΩ的SiC MOSFET芯片IV1Q12017BCG,关断栅源电压-3.5~-2 V
瞻芯电子推出的SiC MOSFET芯片IV1Q12017BCG,漏源电压值1200V,导通电阻典型值为17mΩ。推荐使用的关断栅源电压-3.5~-2V,存储温度范围-55~175°C。具有高压、低导通电阻,高速、寄生电容小等特性,可用于光伏逆变器,芯片面积为5000×6315um²。
图 1 芯片外观
特点
⚫ 高压、低导通电阻
⚫ 高速、寄生电容小
⚫ 高工作结温
⚫ 快速恢复体二极管
电气特性
表 1 最大额定值 (TC =25 °C ,特殊说明除外)
机械参数
表 2
应用
⚫ 光伏逆变器
⚫ 电机驱动
⚫ 高压DC/DC变换器
⚫ 开关电源
芯片尺寸
图 2
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瞻芯电子新品速递 2024-08
描述- 瞻芯电子最新发布两款产品,包括SiC MOSFET和高性能比邻驱动TM芯片。SiC MOSFET具备高耐压、高速特性,适用于EV电机驱动、光伏升压变换器等领域;比邻驱动TM芯片符合车规级可靠性标准,应用于AC/DC和DC/DC变换器、电机驱动等场景。
型号- IV2Q17080T4Z,IV3Q33050T4,IVCO1412ADQR,IVCO1411CDQR,IVCO1411ADQR
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服务
提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务;测试内容分Host主机层,Controller控制器层,Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可支持TI AM335x/AM5718 和NXP iMX6/iMX8芯片定制核心板和计算单板;支持NXP iMX6核心模组X / F / H系列、TI AM335x核心模组X / N / H系列,与兼容的底板组合定制单板计算机。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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