【产品】采用DFN5*6封装的N沟道功率MOSFET AP68N06G，总耗散功率可达104W
AP68N06G是铨力半导体推出的采用先进功率创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，可实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计者提供一种极为高效的器件，可广泛应用于各种电源应用领域。
该产品采用DFN5*6封装，广泛适用于使用红外回流焊技术的所有商业级/工业级表面贴装应用，又因具有低导通电阻，因此可适合大电流应用。
电路及封装图
特性
●低栅极电荷
●驱动简单
●表面贴装封装
●符合RoHS标准且无卤素
●静态漏源导通电阻RDS(ON)= 14 mΩ（典型值，VGS=10V）
绝对最大额定值（Tj=25℃，除非另有说明）
热参数
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|
产品型号
|
品类
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Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
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45/52
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52/67
|
-
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2
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