【应用】兼容光耦隔离驱动器NSI6801用于750W伺服驱动器,共模抑制比达150KV/μS
伺服驱动器主要为了实现快速、精确定位,类似走走停停、精度要求很高的场合应用,伺服驱动器中为了追求产品的小型化设计,都离不开功率、隔离器件,伺服驱动器的主功率结构,由主要是整流桥,制动器和逆变器三部分组成。
图1 伺服驱动器框图
如上图1,针对小功率的750W的紧凑型伺服驱动器,一般设计采用分立器件设计逆变器部分,采用分立IGBT单管设计,263封装,可减小PCB布板面积,IGBT单机用量7PCS,制动1颗和逆变6颗。针对的制动、逆变部分IBGT驱动设计时必须考虑到隔离,需要将控制信号和功率强电进行电气隔离,保证控制信号不被干扰,可靠传输,因此需要在设计IGBT驱动时需要通过一款隔离驱动芯片来对控制单元发出的驱动信号进行隔离保护。
图2 NSI6801典型应用电路图
本文推荐采用纳芯微推出的NSI6801兼容光耦隔离驱动器用于750KW伺服驱动器,引脚兼容P2P替代光耦驱动器,系统鲁棒性上满足150kV/μs最小共模瞬态抗扰度(CMTI),5A峰值拉电流和灌电流输出。成熟批量器件,在性能和可靠性方面更加出色经过市场验证,如上图1为NSI6801在伺服驱动器上的应用。
NSI6801具有75ns典型传播延迟、30ns最大脉宽失真,更高的共模抑制能力CMTI为±150kV/μs 、驱动侧电源电压:最高32V带UVLO功能,5A驱动能力可驱动大多数中小功率IGBT和MOSFET,具有更宽的工作温度范围-40℃~125℃,产品性价比具有明显的竞争优势。
NSI6801具有以下几点优势:
1、满足150kV/μs最小共模瞬态抗扰度(CMTI),可有效抵抗IGBT开关过程中带来极大的共模噪声,可提高了整体产品的可靠性;
2、传播延迟更短,脉冲宽度失真更小,具有更好的动态特性,以及更快的开关速度,满足伺服驱动器等高频的应用;
3、5A的驱动能力,可驱动大多数中小功率IGBT和MOSFET,满足设计需求;
4、国产器件在交期和价格上有优势,成熟批量产品,兼容封装,无需改板设计,提高替代测试的效率。
综上所述,国产纳芯微的隔离驱动NSI6801非常适用于750W伺服驱动器驱动电路设计。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由陌吠提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
技术分享 | GLW隔离栅极驱动芯片GLd3403在伺服驱动器应用
本文针对伺服驱动器内部的逆变电路所采用的隔离栅极驱动芯片GLd3403的应用参考电路、典型参数计算、应用注意事项等多个方面进行详细阐述,旨在为大家提供完整清晰的隔离栅极驱动电路设计。
应用方案 发布时间 : 2024-09-09
【应用】国产数明隔离驱动器SLMI334CG-DG用于伺服驱动器,输出电流可达4A,工温–40至125℃
SLMI334CG-DG隔离驱动器用于伺服驱动器的优势:SLMI334CG-DG隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离IGBT栅极驱动器,具有主动保护功能;可提供4A峰值输出电流。
应用方案 发布时间 : 2022-09-30
【应用】隔离ADC NSI1306M25用于伺服驱动器电流采样上,减少电平转换节约设计成本
作者参与的伺服驱动器成本优化项目中,电流采样芯片使用的是纳芯微的NSI1306M25产品,文中给除应用电路以及测试的数据,便于后续读者进行查阅。
应用方案 发布时间 : 2021-12-09
数明半导体(Sillumin)隔离器件和门极驱动器选型指南
目录- 公司简介 隔离器件、门极驱动选型表 隔离器件介绍 单通道隔离驱动器 双通道隔离驱动器 带保护功能隔离驱动器 数字隔离器 HVIC门极驱动器 应用领域
型号- SLMI77XX系列,SLM27511,SLM2003E,SLM27512,SLM2003S,SLMI8273,SLM2104S,SLMI8232,SLMI8233,SLMI8230,SLMI8274,SLM2108S,SLMI8231,SLMI8275,SLMI7740,SLMI5320,SLMI7742,SLMI8234,SLMI7741,SLMI8235,SLM345,SLMI77XX,SLM346,SLMI776X,SLM2110,SLMI330,SLM2752X,SLM7888,SLMI772X,SLMI334,SLMI333,SLMI332,SLMI331,SLMI137,SLMI335,SLM27524,SLM27525,SLMI772X系列,SLM2181,SLM27523,SLMI776X系列,SLM2101S,SLM341,SLM2004S,SLM343,SLM340,SLMI827X系列,SLM21814,SLMI823X系列,SLMI33X系列,SLMI5952,SLM27517,SLM21XX,SLM2186,SLM2184S,SLM27519,SLM2304S,SLM27211,SLM20XX系列,SLM2005S,SLMI23514,SLM2106S,SLMI7760,SLMI7762,SLMI7761,SLMI7720,SLMI827X,SLMI7763,SLMI7721,SLMI823X,SLM34X,SLMI774X,SLM2005E,SLMI7769,SLMI350,SLM21XX系列,SLM2015,SLM2136,SLM2106B,SLM21867,SLM2014,SLMI33X,SLMI774X系列,SLM34X系列,SLM21364,SLM2103S,SLM2009,SLMI5852,SLM2001S,SLM20XX,SLM2751X
纳芯微公司介绍
型号- NCA8244-DTSTR,NCA8245-DSWTR,NSI6602,NCA1051,NSI1312,NCA9617,NSI8308X,NCA8244,NSM2017,NSI6611X,NSM2018,NSM2019,NSM2013,NIRS485,NSI6801X,NCA8T245-DTSXR,NSM2015,NSM2016,NSD1624-Q1,NSI6601B,NSM2011,NSI6601C,NSM2012,NSI6651X,NSI6631ASC-DWSR,NSI36XX,NSI6601MB,NSI6801L,NSI6601MC,NSI1306,NSI824X,NSI812X,NSI8308XE,NCA1042,NSI6801T,NSI6801,NSI1305,NCA1043,NSI6622X,NSR35XXX Q1,NSM201X,NSE11409,NSM2020,NSL2163X,NSD8306,NCA8244-Q1TSTR,NSD8308,NCA3491,NSD1025X,NSI8308A,NSI86XX,NSI6651ASC-DWSR,NSI68010,NSI68011,NSI1303X,NSI6851X,NSI66X1X-Q1,NSM2035,NSM2031,NSM2032,NSI6801C,NSM2033,NSIP8308X,NCA8245-DTSTR,NSD1624,NSR31XXX Q1,NSI6801B,NCA8245L-DTSTR,NSI6811,NSD731X,NSIP88XX,NSI1400,NSI6931,NSI82XXC,NSD11416,NSI826X,NCA3485,NCA8541-DTSTR,NSD56008,NSI82XX,NCA8244L-DSWTR,NSM2041,NSI6651ALC-DWSR,NSL2161X,NSI319X,NCA9539,NSI6601X-Q1,NSI6611ASC-DWSR,NSR33XXX Q1,NSI821X,NIRSP31,NSG65N15A,NSD5604,NSD122X,NSI66X1X,NSI6911,NCA9646,NSIP89XX,NCA9645,NCA9648,NCA8244-DSWTR,NSD12409,NCA8245L-DSWTR,NSD2621,NSIP87XX,NSD1015,NSI810X,NSI6601MX,NCA8T245-Q1DTSXR,NCA1042A,NSI823X,NSI6601XM,NSI1311X,NSI6602V,NSD3608,NSI6602HC,NSI6601X,NSI6602HB,NSIP1042,TL432,TL431,NSM2111,NCA84245-DTSXR,NSD1025,NCA82DS44-Q1TSTR,NIRS31,NCA8244L-DTSTR,NSI1200,NSI1042,NSI6611,NCA9306,NCA1145,NSI6602HA,NSI822X,NSI1300X,NCA1021,NCA8244-Q1SWTR,NSI6601WC,NSD262X,NSI6602B,NSI6602C,NSI6602E,NSI1050,NSIP8XX,NSI6602A
纳芯微光储充系统解决方案
型号- NSI6602,NSI6801,NSI1311,NSI6601,NSI1312,NSI824X,NCA854X,NSI1200D25,NSR24XX,NPC040N120,NSI8308X,NSM2019,NSIP83085,NPD0X0N120,NSI68515,NSR2845,NSOP9XXX,NSI1300D25,NSOPA9XXX,NSI1300,NSD1025V,NSREF31XX,NSR2240X,NCA1042,NSR7808,NSIP89XX,NSI8221,NLE8348,NSD7312,NSOPA8XXX,NSI1200D05,NSI6622,NCA824X,NSD731X,NSIP31,NCA1042B,NSI131X,NSI68011,NSI83086,NSM201X,NSI83085,NSR10320,NPD020N120,NST235,NSIP1042,NSR31XXX,NSI1300D05,NSD1624,NPC080N120,NSA8244,NSREF30XX,NSR3X,NSA8245,NSI1200,NSI6611,NSI1042,NSI82XXC,NSI6651,NSR31XX,NSOPA90XX,NCA1051A,NCA3485,NSI6601M,NCA8T245,NSR10430,NSR28QXX,NSIP88XX,NSI82XX,NSI8241,NSI1050
【选型】国产单通道隔离驱动NSi6801C-DSWFR用于伺服器,瞬态抗扰度为150kVμs
某用户在验证伺服驱动器时,需要找一款隔离驱动,最好是国产的,推荐了纳芯微的单通道隔离驱动器NSi6801C-DSWFR,它的共模瞬态抗扰度为150kVμs,驱动侧电源可达32V,可以应用于伺服驱动器。
器件选型 发布时间 : 2022-10-11
【IC】基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片BTD3011R系列,绝缘电压高达5000Vrms
BTD3011R单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片采用磁隔离技术,集成退饱和短路保护、软关断功能、原副边欠压保护、副边电源正压稳压器,极大简化外部电路设计,用于电压等级1200V内的IGBT或碳化硅MOSFET驱动。
产品 发布时间 : 2023-10-09
【选型】可替换安华高ACPL-344JT的国产带保护隔离驱动芯片,峰值驱动电流更大
不间断电源、电焊机、大功率变频器等设计目前主要选用IGBT做设计,针对使用这类功率半导体器件,在实际运用中可靠性要求较高,与IGBT对应的驱动芯片,通常需要带保护的驱动芯片,基本上要具有米勒钳位功能和Desat去饱和检测功能,市场上有用安华高的ACPL-344JT,这里主要介绍国产华大半导体带保护IGBT隔离驱动芯片HSA6880-S替换安华高的ACPL-344JT,可在安华高的ACPL-3
器件选型 发布时间 : 2021-02-22
【IC】数明半导体新推带米勒钳位功能的双通道隔离驱动器SiLM8260,具备10A的拉电流和灌电流能力
数明半导体最新推出的SiLM8260是一款集成了米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片,它精准地满足了上述严苛条件。SiLM8260具备10A的拉电流和灌电流能力,能够直接驱动SiC、IGBT等大功率器件,确保高效且稳定的运行。其米勒钳位功能尤为出色,能够有效抑制门极驱动因对管开关而引起的电压尖峰,从而避免上、下管直通问题,进一步增强了系统的稳定性和可靠性。
产品 发布时间 : 2024-03-22
【产品】纳芯微单通道隔离驱动器NSi6801,工作温度-40~125℃,用于工业电机驱动、变频器等领域
纳芯微全新推出第二代产品NSi6801x系列,包含NSi68010B和NSi68011C两款产品。继承第一代产品优秀性能的同时,价格更优,助力企业降本增效。适用于对可靠性、工作寿命、功率密度和效率要求都比较高的系统,如光伏逆变器,电机驱动系统中。
新产品 发布时间 : 2022-08-30
全碳化硅功率mos是否和igbt一样驱动需要负压?有没成熟的驱动芯片推荐?
SIC MOSFET驱动是需要负压的,而GaN FET是可以不用负压。成熟的SIC MOSFET驱动芯片,推荐Silicon Labs 的SI827x,可以参考:如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片?
技术问答 发布时间 : 2019-10-15
【应用】数明SLMI8233BDCG-DG隔离驱动器用于户外电源,采用SOP16W封装,具有高绝缘电压、宽电压输入等特点
随着人们逐步增长的自驾旅行需求,更多的生活家电被带到了户外使用,大功率的逆变电源可以满足电器的户外用电需求,提供更好的使用体验。 这里隔离驱动推荐数明半导体SLMI8233BDCG-DG隔离驱动器。
应用方案 发布时间 : 2023-01-05
IGBT驱动波形中米勒平台产生的原理是什么?
IGBT驱动波形中米勒平台产生的原理当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合,在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt,这样会引发门极VGE间电压升高而导通,这是一个潜在的风险,因此为了规避这个风险,有源米勒钳位功能应运而生。图1:下管IGBT因寄生米勒电容而导通有源米勒钳位解决方案 要想避免RG优化、CG损耗和效率、负电源供电成本增加等问题,另一种方法是使门极和发射极之间发生短路,这种方法可以避免IGBT不经意的打开。具体操作方法是在门极与射极之间增加三级管,当VGE电压达到某个值时,门极与射极的短路开关(三级管)将被触发。这样流经米勒电容的电流将被增加的三极管截断而不会流向VOUT。这种技术被称为有源米勒钳位技术,具体方法见如下图2。图2:有源米勒钳位采用外加三极管一般选用的隔离驱动芯片(以Silicon Labs Si8285为例)通过IGBT栅极和集电极间寄生电容C_CG及Si8285副边VH pin、外部RH及内部PMOS源极电阻RSS、内部NMOS等对IGBT门极电荷进行放电来达到软关断效果。直至最后退饱和工作完成,故障通过FLT pin隔离输出,反馈给MCU。
技术问答 发布时间 : 2018-10-18
电子商城
现货市场
服务
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>
可支持TI AM335x/AM5718 和NXP iMX6/iMX8芯片定制核心板和计算单板;支持NXP iMX6核心模组X / F / H系列、TI AM335x核心模组X / N / H系列,与兼容的底板组合定制单板计算机。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论