【产品】2.5V驱动电压的N沟道小信号MOSFET RTL035N03，采用TUMT6封装
ROHM公司推出的2.5V驱动电压的N沟道小信号MOSFET RTL035N03，其漏源电压最大为30V，栅源电压最大为12V，其持续漏极电流为±3.5A，脉冲漏极电流最大为±14A，具有较大的电流承载能力，可避免器件被来自电力线或系统内部的浪涌造成的冲击损坏；另外这款MOSFET具有很低的导通电阻，在VGS = 4.5V, ID = 3.5A条件下，最大只有56mΩ，可用于开关用途等场合。
图1 MOS内部电路图 图2 包装规格
RTL035N03的产品特性及优势：
•低导通内阻
•小型表贴封装TUMT6，节省空间
•符合无铅、ROHS标准
主要应用：
•开关用途
RTL035N03采用TUMT6封装，其热阻Rth大小为125℃/W（TOTAL），总功耗不超过1.0W。工作温度及存储温度范围为-55~150℃，工作结点温度Tj最高可达到150℃，工作温度范围广，能够满足恶劣环境工作要求。具体参数如下表所示：
*1 Pw≦10μs , Duty cycle≦1%
*2 贴装在ceramic板上(30×30×0.8mm)
*3 贴装在FR4板上 (25×25×0.8mm)
封装尺寸：
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