【产品】选用强茂车用N沟道低压MOSFET，有效降低RDS(ON)及电容，优化您的车用电路设计
强茂最新的AEC-Q101认证的N沟道MOSFET采用先进的槽沟技术设计，有效降低RDS(ON)及电容，最小化传导损失，减少导通损耗和开关损耗，同时不影响电气性能。
提供多种封装选择，包含DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060X-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA，使工程师和设计师可以选择最适合其特定需求和应用的MOSFET。
使用强茂先进N沟道MOSFET升级您的汽车设计，体验先进槽沟技术带来的强大性能和效率！
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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