【产品】选用强茂车用N沟道低压MOSFET，有效降低RDS(ON)及电容，优化您的车用电路设计

时间： 2023-08-18 来源：强茂PANJIT公众号

代理服务

技术支持

采购服务

强茂最新的AEC-Q101认证的N沟道MOSFET采用先进的槽沟技术设计，有效降低RDS(ON)及电容，最小化传导损失，减少导通损耗和开关损耗，同时不影响电气性能。

提供多种封装选择，包含DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060X-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA，使工程师和设计师可以选择最适合其特定需求和应用的MOSFET。

使用强茂先进N沟道MOSFET升级您的汽车设计，体验先进槽沟技术带来的强大性能和效率！

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由可莉转载自强茂PANJIT公众号，原文标题为:选用强茂车用N沟道低压 MOSFET，优化您的车用电路设计，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【元件】PANJIT推出最新30V＆40V车用MOSFET，已通过AEC-Q101认证，工作结温高达175℃

PANJIT推出新款P沟道和N沟道MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P沟道MOSFET通过了AEC-Q101认证，结温高达175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些MOSFET最大限度地降低了RDS(ON)，并提高了雪崩坚固性，采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263和TO-263-7L封装。

2024-01-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

60V/30A的N沟道MOSFET SL30N06D，在汽车模拟领域有卓越的性能和广泛的应用前景

SL30N06D是一款性能卓越的N沟道MOSFET，该器件的高漏源电压（60V）、大电流承载能力（30A）、低导通电阻（27mΩ@10V，30A）以及较低的阈值电压（1.6V@250μA）等特点，使其成为汽车电子系统中的理想选择，在汽车模拟领域展现出了卓越的性能和广泛的应用前景。

2024-05-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】规格为55A/60V的N沟道MOSFET SK50N06A，适用于汽车和直流电机控制等

时科推出的N沟道MOSFET SK50N06A，采用专有的新沟槽技术，低栅极电荷，快恢复体二极管，使其特别适用于汽车、直流电机控制和D类放大器等应用。

2022-09-20 - 产品代理服务技术支持采购服务

【应用】基于低成本N沟道MOSFET 2N7002K实现低速接口自动双向电平转换

在通信电路的设计中，经常会需要在不同电平之间进行相互转换，比如CPU的IO是3.3V，外设的IO电压是5V，这时就需要进行电平转换。对于低速通信电路，本文中笔者采用MOSFET来做，具体型号是PANJIT的2N7002K。从测试波形图可以看到，使用该器件的电路完全可以满足低速通信接口的双向电平转换要求，可用于如GPIO、I2C、UART等通信接口的电平转换。

2020-01-16 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

DR704Q汽车 H 桥栅极驱动器

描述- DR704Q是一款适用于汽车应用的智能H桥栅极驱动器，具备车规级认证，支持多种控制方式和接口。它能够驱动四个外部N沟道MOSFET，实现双向有刷直流电机的正反转、慢刹等功能。DR704Q集成了电流采样放大器、PWM电流调节、多种保护功能以及低功耗睡眠模式。

型号- DR704Q,DR704QAQFN32,DR702QAQFN32,DR703QAQFN32

12 May 2023 - 类比半导体 - 数据手册 - Rev B 代理服务技术支持采购服务

结温为175℃的60/100/150V汽车级N沟道MOSFET通过AEC-Q101认证

型号- PJQ4568AP-AU,PJQ5592-AU,PJP125N06SA-AU,PJQ5572A-AU,PJP130N10SA-AU,PJP160N10SA-AU,PJQ4576AP-AU,PJD45N15S-AU,PJQ5562A-AU,PJQ5580A-AU,PJN300N10SA-AU,PJQ4580AP-AU,PJQ5574A-AU,PJN400N06SA-AU,PJQ5968A-AU,PJQ4566AP-AU,PJQ4574AP-AU,PJD50N10SA-AU,PJQ5558AC-AU,PJN220N15S-AU,PJP80N10SA-AU,PJQ5560A-AU,PJD100N06SA-AU,PJN350N06SA-AU,PJN200N10SA-AU,PJN240N15S-AU,PJQ5568A-AU,PJD50N15S-AU,PJQ4594P-AU,PJQ5966A-AU,PJQ5576A-AU,PJD70N10SA-AU,PJD30N15S-AU,PJD80N06SA-AU,PJP100N15S-AU,PJQ4564AP-AU,PJQ2566AW-AU,PJQ5590-AU,PJQ5594-AU,PJP150N15S-AU,PJP75N06SA-AU,PJQ5566A-AU,PJD100N10SA-AU,PJQ2570AW-AU,PJQ5570A-AU,PJP100N06SA-AU,PJD65N10SA-AU,PJP95N10SA-AU,PJQ5564A-AU,PJD45N06SA-AU,PJD60N06SA-AU,PJP200N15S-AU,PJQ2568AW-AU

May. 2024 - PANJIT - 商品及供应商介绍 - REV.01 代理服务技术支持采购服务

新能源汽车动力革命：100V/10A的N沟道MOSFET SL10N10A，助力电池技术

SL10N10A是一款具有100V漏源电压和10A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（95mΩ@10V,10A）和较低的阈值电压（3V@250μA）而著称，以其独特的电压承受能力和高效能转换效率，为新能源汽车领域的发展提供了有力支持。

2024-07-09 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

ABSS138PDW-HF双N沟道MOSFET

描述- 本资料详细介绍了ABSS138PDW-HF双通道N沟道MOSFET的特性，包括其低导通电阻、低输入电容、快速开关速度等，适用于汽车电子、工业控制等领域。资料还提供了电气特性、热特性、典型应用曲线和封装规格等信息。

型号- ABSS138PDW-HF

2024/6/4 - COMCHIP - 数据手册 - REV:A 代理服务技术支持采购服务

【选型】新电元车规级N沟道MOSFETP98LF6QNK 5071用于汽车座椅风扇，导通电流可达98A

随着现代汽车电子的发展，汽车内部增加电子化模块来提升车内人员的乘坐体验。在汽车座椅风扇系统中，一般会用三相全桥驱动无刷电机，推动风扇转动。本文推荐新电元的车规级N沟道MOSFET P98LF6QNK 5071可以用于汽车座椅风扇设计。

2022-11-15 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

德欧泰克MOSFET DIW018N65导通状态电阻低至155mΩ，为电动汽车充电器提供最佳开关特性

为了优化电动汽车的能源效率，需要考虑电池充电现象。DIOTEC的DIW018N65是一款18A/650V N沟道MOSFET，可提供最佳的开关特性，低RDS(on)在增强系统中起着至关重要的作用，为了满足这些条件，极低的导通状态电阻通常为155mΩ，有助于改善MOSFET的散热性能，极低的栅极电荷(Qg)38nC可提高效率并提高MOSFET的功率密度。

2024-06-20 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

JST35GDN01D5-Q 100V双通道N沟道MOSFET

描述- 本资料介绍了JST35GDN01D5-Q型号的双通道N沟道MOSFET的特性。该器件适用于汽车系统、电源管理和PWM应用，具有低导通电阻（RDS(ON) ≤ 17mΩ）、AEC Q101认证和符合RoHS标准等特点。

型号- JST35GDN01D5-Q

2022-8-9 - 江智 - 数据手册 - Version：0-Q1.0 代理服务技术支持采购服务

【选型】电池反接保护应用上选择低内阻的N沟道MOSFET PJL9434A，能耗低且温度范围宽

在一些较大负载电流的应用中，采用传统二极管防逆会因较高的正向压降产生较高的能耗，温升较高，长期高温工作会影响管子的性能。为改善传统二极管防逆的缺陷，本文推荐采用PANJIT的N沟道MOSFET PJL9434A代替传统二极管进行防反接的保护，内阻仅12mΩ，耗散功率仅2.5W，其损耗远远低于传统二极管且温度范围宽。

2019-12-29 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

JST42GDN60D5-Q 60V双通道N沟道MOSFET

描述- 本资料介绍了JST42GDN60D5-Q型号的双通道N沟道MOSFET的特性。该器件适用于汽车照明、同步整流、电源管理和PWM应用。它具有低导通电阻（RDS(ON) ≤ 14.5mΩ），符合AEC Q101标准，并具备绿色环保特性。资料还提供了最大额定值、电气特性、典型性能曲线和封装尺寸图。

型号- JST42GDN60D5-Q

2022-4-29 - 江智 - 数据手册 - Version：0-Q1.0 代理服务技术支持采购服务