【应用】如何应对Tsc长达10μs的储能逆变器的驱动干扰
60KW储能逆变器为三相输出，功率因数为0.8，每相输出电压为220V的情况下，那么每相的平均电流规格为60000*0.8/3/220=72.7A。在实际的设计中需要选择1.5~2倍以上的电流规格器件，且考虑到驱动干扰导致的上下桥短路的抗冲击时间因数，推荐VINCOTECH的160A电流的功率模块30-FT12NMA160SH-M669F08，其拓扑结构如图所示。
图1：30-FT12NMA160SH-M669F08拓扑
30-FT12NMA160SH-M669F08是Vincotech的flowMNPC 2系列功率模块。该系列功率模块采用混合电压NPC拓扑结构，采用IGBT4技术，低电感设计。脚位分割输出可防止交叉传导，提高PCB布局布线的传导辐射参数。
储能逆变器的设计过程中，干扰无处不在，这是工程师们最头痛的问题，也是不得不面对的难题。而当干扰无法避免时，30-FT12NMA160SH-M669F08的Half Bridge IGBT的10μs的短路等级参数显得至关重要。
干扰成就了Tsc 10μs的上下管直通的短路等级的优势。它完全满足客户使用时因驱动干扰导致的母线短时间内放电情况，这种情况又不会导致因上下IGBT直通而损坏模块。Tsc的10μs参数让储能逆变器即使在恶劣环境下依旧可以正常使用。
30-FT12NMA160SH-M669F08的中性点IGBT（Neutral Point IGBT）的短路等级的参数为6μs。6μs的参数完全是为了匹配Half Bridge IGBT的短路等级的10μs参数，保证整个T型模块都是带有抗击短路冲击功能。
30-FT12NMA160SH-M669F08 的Half Bridge IGBT特点：
• IGBT电压：1200V
• IGBT电流：160A
• 冲击电流：480A
• 驱动电平：±20V
• 耗散：最大604W
• 结温：高达175℃
• 短路等级（short circuit ratings）：10μs
• flowMNPC 2系列封装为12 x 102 x 47mm，模块集成高，体积小
图2：flowMNPC 2系列封装
综上可知，30-FT12NMA160SH-M669F08不仅适用于储能逆变器应用中，还适用于太阳能逆变器，充电桩，不间断电源UPS等工业电源行业。
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Vincotech 功率模块30-FT12NMA160SH-M669F08数据手册 详情>>>
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产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN（V）
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN（mm）
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ISOLATION
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V23990-K429-A40-PM
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IGBT功率模块
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CIB-KE-NTC
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MiniSKiiP® PIM 3
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1200
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产品型号
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品类
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产品状态
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拓扑
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电压(V)
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晶圆工艺
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10-0B06PPA004RC-L022A09
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SiC功率模块
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Series production
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PIM+PFC(CIP)
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600V
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4A
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17mm
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