碳化硅专利储备数量国内排名第一的厂家，成功研发650V-3300V的SiC器件

时间： 2021-08-17 来源：世强

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碳化硅功率材料长期以来被视为电动汽车的理想选择，同时可以用于电力系统、高铁、航空航天等各大领域。先导中心（SASTC）是碳化硅专利储备数量国内排名第一的供应商，现为世强硬创电商的签约生态合作伙伴，授权平台代理旗下碳化硅产品SBD系列、碳化硅MOS系列及碳化硅模块。

（SASTC）致力于第三代半导体和先进硅器件的关键共性技术工程化研发，主攻碳化硅、氮化镓和先进硅器件三个技术方向，研制出650V和1200V的肖特基二极管、1200V的MOSFET，同时具备40-650V 电压等级的电力电子器件和面向5G和特种频段的微波功率器件研发能力。近期还成功研发出650V-3300V的碳化硅器件。其主要产品碳化硅肖特基二极管具有650V-5000V的电压规格; 正向电流1-50A; 抗浪涌电流6倍于额定电流，反向漏电低至μA; 多种封装形式的特性。碳化硅MOSFET的电压规格为1200V-3300V；导通电阻Rds(on):20~1000mΩ；驱动电压20V。

通过平台，用户可直接获取来自先导中心（SASTC）的碳化硅等产品信息、技术资讯、官方资料等。

先导中心（SASTC）获得了多项国家级品牌，包括国家发改委宽禁带领域的国家工程研究中心，工信部“芯火计划”双创基地，国家双创示范基地集成电路设计公共服务平台等。查看更多

碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

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炎宁 Lv7. 资深专家 2024-02-20

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辛巴 Lv8. 研究员 2023-12-28

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用户71904310 Lv9. 科学家 2023-12-12

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Timm Lv9. 科学家 2023-09-22

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Timm Lv9. 科学家 2023-09-22

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每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2023-09-14

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崇乾 Lv8. 研究员 2023-09-08

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linyufeng1989 Lv4. 资深工程师 2023-07-03

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炫123 Lv8. 研究员 2023-03-07

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福如东来 Lv7. 资深专家 2023-01-02

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泰高240W氮化镓多口快充电源方案，相比单口充电器体积缩小20%

2022年7月13日，深圳市泰高技术有限公司（下称“泰高”）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）签署代理协议，授权世强先进代理其旗下氮化镓电源产品、低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关等全线产品。资料显示，泰高是一家国产氮化镓功率器件公司,主要从事氮化镓基与碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售。产品广泛应用于新能源汽车、工业自动化和数据中心等领域。

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长联授权世强代理，丰富碳化硅肖特基二极管以及碳化硅模块产品选择

长联与世强达成代理合作，授权世强全线代理旗下全线产品。长联拥有自主知识产权的第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块全产业链，有两座完整的4/6英寸SiC半导体工艺晶圆厂、产业园及封装生产基地，可提供行业标准封装的碳化硅肖特基二极管以及碳化硅模块。

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目录- SiC功率元器件产品介绍 SiC肖特基势垒二极管/SiC MOSFET

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SA1M12000065 Silicon Carbide Power MOSFET

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型号- SA1D120020S

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先导中心已成功研发出650V-3300V的碳化硅器件，完成SiC MOSFET量产平台的打造

陕西半导体先导技术中心日前已完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造，MOSFET器件系列产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，目前已经成功研发出650V-3300V的碳化硅器件，其中多款产品填补了国内空白。

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碳化硅专利储备数量国内排名第一供应商——先导中心（SASTC）

先导中心（SASTC），全称为陕西半导体先导技术中心，致力于第三代半导体和先进硅器件的关键共性技术工程化研发，主攻碳化硅、氮化镓和先进硅器件三个技术方向，研制出国内领先的650V和 1200V 的肖特基二极管产品共23款，1200V的MOSFET产品共5款，同时具备40-650V 电压等级的电力电子器件和面向 5G和特种频段的微波功率器件研发能力。

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【技术】一文带你了解氮化镓和砷化镓的区别

氮化镓和砷化镓比较：氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高，因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益，并且由于器件尺寸的减少，还可提高效率。氮化镓场效应管器件的工作电压比同类砷化镓器件高五倍。

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第三代半导体：氮化镓

第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

行业资讯发布时间 : 2024-05-21

一篇文章综述中国碳化硅（SiC）产业建设进展

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。

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【选型】泰科天润(GPT) SiC碳化硅肖特基二极管选型指南

目录- SiC碳化硅肖特基二极管

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沃尔德碳化硅及FRED选型表

沃尔德提供碳化硅及FRED系列二极管的以下参数选型，Current(A)：6~30A、Voltage(V)：600V、650V、IFSM(A)：65~1040A。

产品型号	品类	Current(A)	Voltage(V)	Package	Application	VF(V)@25℃	VF @125℃	IR(uA)25℃	IR(uA)125℃	IFSM(A)	Tj（℃）
TSR6T600ACT	二极管	6	600	TO-220AC	类碳化硅	2.0@6A	1.5@6A	1	0.03	80	-65 to +175

选型表 - 沃尔德立即选型

爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。

原厂动态发布时间 : 2024-09-11