碳化硅专利储备数量国内排名第一的厂家，成功研发650V-3300V的SiC器件
碳化硅功率材料长期以来被视为电动汽车的理想选择，同时可以用于电力系统、高铁、航空航天等各大领域。先导中心（SASTC）是碳化硅专利储备数量国内排名第一的供应商，现为世强硬创电商的签约生态合作伙伴，授权平台代理旗下碳化硅产品SBD系列、碳化硅MOS系列及碳化硅模块。
（SASTC）致力于第三代半导体和先进硅器件的关键共性技术工程化研发，主攻碳化硅、氮化镓和先进硅器件三个技术方向，研制出650V和1200V的肖特基二极管、1200V的MOSFET，同时具备40-650V 电压等级的电力电子器件和面向5G和特种频段的微波功率器件研发能力。近期还成功研发出650V-3300V的碳化硅器件。其主要产品碳化硅肖特基二极管具有650V-5000V的电压规格; 正向电流1-50A; 抗浪涌电流6倍于额定电流，反向漏电低至μA; 多种封装形式的特性。碳化硅MOSFET的电压规格为1200V-3300V；导通电阻Rds(on):20~1000mΩ；驱动电压20V。
通过平台，用户可直接获取来自先导中心（SASTC）的碳化硅等产品信息、技术资讯、官方资料等。
先导中心（SASTC）获得了多项国家级品牌，包括国家发改委宽禁带领域的国家工程研究中心，工信部“芯火计划”双创基地，国家双创示范基地集成电路设计公共服务平台等。
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先导中心已成功研发出650V-3300V的碳化硅器件，完成SiC MOSFET量产平台的打造
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碳化硅专利储备数量国内排名第一供应商——先导中心（SASTC）
先导中心（SASTC），全称为陕西半导体先导技术中心，致力于第三代半导体和先进硅器件的关键共性技术工程化研发，主攻碳化硅、氮化镓和先进硅器件三个技术方向，研制出国内领先的650V和 1200V 的肖特基二极管产品共23款，1200V的MOSFET产品共5款，同时具备40-650V 电压等级的电力电子器件和面向 5G和特种频段的微波功率器件研发能力。
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研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI） | 中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE） | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes） | 中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip） | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ） | Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER） | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics） | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY） |
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【技术】一文介绍芯众享碳化硅和氮化镓器件在服务器电源上的应用
碳化硅在服务器电源中率先得到应用。得益于碳化硅极小的反向恢复损耗，碳化硅二极管较早便取代了PFC中的硅二极管，立竿见影的提高了PFC的效率。随着碳化硅MOSFET技术的成熟和可靠性的提高，又出现了采用碳化硅MOSFET取代硅MOSFET的设计。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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