【产品】采用IGBT S5芯片技术的650V/150A军品级功率模块

时间： 2018-06-27 来源：Vincotech

技术问答

全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商VINCOTECH（威科）推出的10-PY07BBA150S5-M735L58Y 功率模块，为flowBUCK-BOOST 1产品线，采用对称式升降压拓扑，集成了降压开关、降压二极管、升压开关、升压二极管。由于内部集成了用于提高开关性能的开尔文发射器，具有快速平稳转换的突出优势。内部集成的温度传感器，可实时地对模块进行温度监测，避免温度过高对系统造成永久性的损坏。功率模块非常适用于电源供应器和不间断电源。

Vincotech的这款10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块的储存温度范围为-40~125℃，工作温度范围为-40~ （Tjmax-25℃）（Tjmax取决于模块中结温最低的器件），符合军品级器件温度要求，可应用在多种苛刻的温度环境中。采用flow1 封装，外壳尺寸为82mmx37.4mmx12mm。

T_j=25℃（除其他特殊说明外）时，10-PY07BBA150S5-M735L58Y军品级功率模块工作电压为650V，正常工作电流150A，升/降压二极管的反向重复峰值电压均为650V。可满足高压大电流应用要求。10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块的直流隔离电压为6000V（t_p=2s），交流隔离电压为2500V（t_p=1min），满足大功率隔离设计要求，同时可以有效的抑制输入谐波，具有超高的安全性与稳定性。

Vincotech的10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块采用IGBT S5芯片技术，具有高速和平滑切换的突出优势。10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块的降压开关的开启延迟时间和上升沿时间的典型值分别仅为26ns和7ns（T_j=25℃），升压开关的开启延迟时间和上升沿时间的典型值分别仅为31ns和11ns（T_j=25℃）。具有极低的集电极发射极饱和压降，降压开关的集电极发射极饱和压降的典型值仅为1.39V（V_CE=15V、I_C=50A、T_j=25℃），升压开关的集电极发射极饱和电压的典型值仅为1.43V（V_CE=15V、I_C=150A、T_j=25℃），超低饱和压降有利于降低导通损耗，避免产生过温，简化热设计。Vincotech的10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块具有较低的闸极电荷，降压开关的闸极电荷的典型值仅为120nC（V_GE=15V、V_CE=520V、I_C=50A、T_j=25℃），升压开关的闸极电荷的典型值仅为328nC（V_GE=15V、V_CE=520V、I_C=150A、T_j=25℃），开关损耗低，有较好的开关性能。

Vincotech的10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块

图1 10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块外形图

图2 10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块的尺寸图

图3 10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块的原理图

10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块突出特点与优势

·电池降压-升压

·芯片技术：IGBT S5

·具有NTC热敏电阻

10-PY07BBA150S5-M735L58Y功率模块应用领域

·电源供应器

·不间断电源（UPS）

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全部评论（1）

terrydl Lv9. 科学家 2018-06-27

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