【产品】碳化硅MOSFET FF06320,符合RoHS和无卤素标准,适用于开关电源等领域
即思创意推出的型号为FF06320的碳化硅MOSFET,符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下,漏源电压为650V (VGS=0V, ID=100μA),漏源通态电阻为320mΩ (VGS=18V, ID=2A)。可适用于开关电源,功率因数校正,便携式适配器,通信电源,可再生能源,D类放大器领域。
产品信息
特点
优化的RDS(on),具有快速的开关特性
低剖面,低寄生电感封装
与标准栅驱动器兼容
高抗雪崩能力
优化的高功率密度的应用
紧凑型MSL-1 SMT封装
符合RoHS标准,无卤素
优势
更高的系统效率
增加并联的便利性
允许高频操作
实现紧凑、轻量的系统
高可靠性
潜在应用
开关电源
功率因数校正
便携式适配器
通信电源
可再生能源
D类放大器
关键性能参数
订购信息
最大额定值(Tj=25℃,除非另有说明)
电气特性
1Co(er)是一个固定的电容,当VDS从0上升到400V时,它提供了与Coss相同的存储能量。
2Co(tr)是一个固定的电容,当VDS从0上升到400V时,它提供了与Coss相同的充电时间。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由Yuan翻译自即思创意,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
新产品 发布时间 : 2023-06-26
瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新品,比TO263-7封装体积小60%
近日,瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅MOSFET产品,已完成工规级可靠性认证。这两款产品采用TOLL封装,能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求,帮助高性能电源提高能效和功率密度,并改善电磁干扰,简化PCB设计。
新产品 发布时间 : 2023-03-08
【产品】国产1200V碳化硅 MOSFET,具有低的RDS(ON)
基本半导体(BASiC)碳化硅 MOSFET具有低的RDS(ON),开关性能优良,可提高器件工作效率,减少芯片面积。它们能在更高的开关频率下,通过更低的热损耗实现高效率。这些产品可在电机驱动器、开关电源、太阳能逆变器和UPS等领域广泛使用。
新产品 发布时间 : 2019-07-09
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-11
纳芯微汽车电子解决方案 助力汽车电动化和智能化发展
型号- NSL2163X-Q1,NSL23916-Q1,NSI1311,NSI6601,NSI7258,NSR2240X,NPC060N065A,NSL23716X-Q1,NCA8244,NSM2017,NPI040N120A (1200V. 40V),NSM2019,NSM2013,NSI22C11,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSR33XXX,NSC9262,NSI1300,NSC9264,NSREF31XX,NSI1306,NPS0X0N065A,NSP1830,NSL2161X-Q1,NCA1169,NCA1044,NSR7808,NSOPA240X,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSD8306,NSOPA8XXX,NSD8308,NSI67XX,NS0PA8XXX,NSD1026V,NSR31XXXT,NSE425X,NSE34050,NSL31682-Q1,NSL21912-Q1,NSI6622V,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSD8310,NSD8312,NSD1624,NPI030N065A,NSR104XX,NCA1043(B),NSD731X,NSI6651,NSD11416,NSI22C12,NCA1051A,NSUC1602,NCA1462,NSD8381,NSD56008,NSM3011,NST17 5-Q1,NSIP2266-Q1,NSPADX,NSM3013,NSM3012,NSI6801,NST60-Q1,NSUC1610,NCA9539,NST175-Q1,NSR7850,NST175,NSM203X,NSIP605X,NSI6911,NSOPA9XXX,NSI824X,NST86-Q1,NSP1631,NSD12409,NSP1632,NSPASX,NSP1630,NSCSA24X,NSM1013,NPI040N120A,NSL23924-Q1,NCA9555,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSCSA21X,NSD12416,NSPGM2,NSM2117,NSPGM1,NSI6602V,NSD3608,NSM2113,NSM2115,NSR35X,NSD3604,NSL31520-Q1,NSR35XXX,NST20,NSREF30XX,NPC0X0N120A,NSI1200,NS0PA9XXX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NST235-Q1,NCA1145,NSE5702,NSI6601M,NSE5701,NSA9260X,NSR114XX,NSR1048,NSM1030
美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表
目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET
型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G
纳芯微可再生能源与电源系统解决方案
型号- NSI6801,NSI1311,NSI1312,NSI6601,NSIP884X,NSR2240X,NPD0X0N120A,NCA8244,NSM2017,NIRSP31,NSI33085,NSM2019,NSM2013,NSIP83086,NSM2015,NSI68515,NSM2011,NSI8300XE,NSR28C4X,NSR33XXX,NSOPA9XXX,NSI1300,NSI6801M,NSI824X,NSIP21,NSREF31XX,NSCSA24X,NPS0X0N065A,NSI10,NSR7808,NSR EF30XX,NSI8100,NSHT3X,NSD7312,NSD2621,NIRS21,NSIP8942,NSOPA8XXX,NCA9555,NSI1200C,NSIP31,NSI823X,NSIP894X,NSD1026V,NCA1042B,NSCSA21X,NPC0X0N120A,NCA1042E,NCA3176,NSI83086,NSI83085,NSI6602V,NSM2311,NSM2113,NST235,NSR31XXX,NSIP1042,NSD1624,NS16801,NPI030N065A,NST20,NSR35XXX,NSR104XX,NIRS31,NSD1224,NSREF30XX,NCA1043(B),NSI1042,NS0PA9XXX,NSI6611,NSI1400,NSI822X,NS0PA8XXX,NCA1051A,NSI6601M,NCA3485,NCA1042B2,NST1002,NST1001,NSM211X,NSI82XX,NSI8200,NSI1050,NSI3190
即思创意(fastSiC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管选型指南
目录- SiC Schottky Diode&SiC MOSFET
型号- FL12190A,FF06100G,FC06008D,FF06100F,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FF06100D,FC06008A,FF06320B,FF06320A,FF06030Q,FF17900E,FH06010C,FH06020E-3,FL06320B,FH06020E-2,FL06320A,FC06006D,FC06016C,FC06006C,FF17900Q,FC06010C,FH06004C,FH06006C,FC06002X,FL06150A,FL06320G,FF061K4A,FF12040Q
Residential Solar Solutions
型号- 7000,SMBJ,L75QS,M3,SPD,TMOV,SPF,SPE,HV,LSIC1MO170E0750,CLASS RK5,X3-CLASS,CLASS T,SMBJ30CA,CLASS J,DSI,SM7,SPD TYPE 2,DSP,MIXA,ULTRAMOV,IXD_6XXSI,1500V POLAR,SPXI,SP712,SP2555NUTG,SMF,ES,X2-CLASS,RA,1200 V DIODE,MIXG,RB,LPHV,X CLASS,324,369,DLA,LSIC1MO120E0120,SP3130,IXDN604SIA,650 V TRENCH,IX4351NE,SPXV,SM20,IXG*N170(A),SM15-02HTG,SPD2 PV,SMDJ,SPFI,SPFJ,SM712,CG3,1.5SMC,CG2,CG4,650V X2-CLASS,DSEI,215,KLKD,HIGH VOLTAGE SERIES,KSC,DSEP,XPT,TRENCH GATE GEN2,CG,XTREME,SMCJ,KR,ULTRA-JUNCTION X2,KSR,SMBJ18CA,LA,1200,IX4427,IXDN602SIATR,650V X3-CLASS,650V DIODES,SIC1MO170E1000,X4-CLASS
【应用】SiC器件可在5G基建、新能源汽车充电桩、工业互联网等领域中提高电能利用率
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。
应用方案 发布时间 : 2023-08-04
【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感,爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM
2024年8月28日,亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开,爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计,内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。
产品 发布时间 : 2024-08-29
基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论