【产品】碳化硅MOSFET FF06320，符合RoHS和无卤素标准，适用于开关电源等领域
即思创意推出的型号为FF06320的碳化硅MOSFET，符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下，漏源电压为650V (VGS=0V, ID=100μA)，漏源通态电阻为320mΩ (VGS=18V, ID=2A)。可适用于开关电源，功率因数校正，便携式适配器，通信电源，可再生能源，D类放大器领域。
产品信息
特点
优化的RDS(on)，具有快速的开关特性
低剖面，低寄生电感封装
与标准栅驱动器兼容
高抗雪崩能力
优化的高功率密度的应用
紧凑型MSL-1 SMT封装
符合RoHS标准，无卤素
优势
更高的系统效率
增加并联的便利性
允许高频操作
实现紧凑、轻量的系统
高可靠性
潜在应用
开关电源
功率因数校正
便携式适配器
通信电源
可再生能源
D类放大器
关键性能参数
订购信息
最大额定值（Tj=25℃，除非另有说明）
电气特性
1Co(er)是一个固定的电容，当VDS从0上升到400V时，它提供了与Coss相同的存储能量。
2Co(tr)是一个固定的电容，当VDS从0上升到400V时，它提供了与Coss相同的充电时间。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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