【产品】碳化硅MOSFET FF06320，符合RoHS和无卤素标准，适用于开关电源等领域
即思创意推出的型号为FF06320的碳化硅MOSFET，符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下，漏源电压为650V (VGS=0V, ID=100μA)，漏源通态电阻为320mΩ (VGS=18V, ID=2A)。可适用于开关电源，功率因数校正，便携式适配器，通信电源，可再生能源，D类放大器领域。
产品信息
特点
优化的RDS(on)，具有快速的开关特性
低剖面，低寄生电感封装
与标准栅驱动器兼容
高抗雪崩能力
优化的高功率密度的应用
紧凑型MSL-1 SMT封装
符合RoHS标准，无卤素
优势
更高的系统效率
增加并联的便利性
允许高频操作
实现紧凑、轻量的系统
高可靠性
潜在应用
开关电源
功率因数校正
便携式适配器
通信电源
可再生能源
D类放大器
关键性能参数
订购信息
最大额定值（Tj=25℃，除非另有说明）
电气特性
1Co(er)是一个固定的电容，当VDS从0上升到400V时，它提供了与Coss相同的存储能量。
2Co(tr)是一个固定的电容，当VDS从0上升到400V时，它提供了与Coss相同的充电时间。
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产品型号
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品类
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Power Dissipation(W)
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Continuous Drain Current(A)
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Gate Charge(nC)
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Output Capacitive Charge(nC)
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Avalanche Energy(mJ)
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FL12190A
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碳化硅肖特基二极管
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88
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10
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30
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41
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200
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