【产品】65V/100A N沟道增强型功率MOSFET RM100N65DF，采用DFN5X6-8L封装

时间： 2019-10-15 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际推出的RM100N65DF是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，具有栅极电荷低、导通电阻小的特点以及较广的应用领域。在环境温度为 25°C时，RM100N65DF可以承受的极限漏源电压为65V，极限栅源电压为+20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为100A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到管壳的热阻为0.88℃/W。RM100N65DF采用DFN5X6-8L封装，其引脚分布如图1所示。

图1 RM100N65DF引脚分布

RM100N65DF产品特性

•V_DS =65V,I_D=100A

R_DS(ON) <2.8mΩ@V_GS=10V

R_DS(ON) <5.4mΩ@V_GS=4.5V

•高密度单元设计可实现超低R_DS(ON)

•完全表征雪崩电压和电流

•高E_AS，具有良好的稳定性和一致性

•优良的封装，散热性良好

•特殊工艺技术可实现高ESD能力

RM100N65DF应用领域

•电源开关应用

•硬开关和高频电路

•不间断电源

•无卤素应用场合

RM100N65DF订购信息

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