【产品】65V/100A N沟道增强型功率MOSFET RM100N65DF，采用DFN5X6-8L封装
丽正国际推出的RM100N65DF是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，具有栅极电荷低、导通电阻小的特点以及较广的应用领域。在环境温度为 25°C时，RM100N65DF可以承受的极限漏源电压为65V，极限栅源电压为+20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为100A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到管壳的热阻为0.88℃/W。RM100N65DF采用DFN5X6-8L封装，其引脚分布如图1所示。
图1 RM100N65DF引脚分布
RM100N65DF产品特性
•VDS =65V,ID =100A
RDS(ON) <2.8mΩ@VGS=10V
RDS(ON) <5.4mΩ@VGS=4.5V
•高密度单元设计可实现超低RDS(ON)
•完全表征雪崩电压和电流
•高EAS，具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，散热性良好
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
RM100N65DF应用领域
•电源开关应用
•硬开关和高频电路
•不间断电源
•无卤素应用场合
RM100N65DF订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 4
本文由cucumber翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（4）
-
![]()
![]()
用户85806204 Lv7. 资深专家 2019-10-16学习 -
![]()
![]()
用户85766787 Lv3. 高级工程师 2019-10-16牛 -
![]()
![]()
学习 Lv4. 资深工程师 2019-10-16学习收藏 -
![]()
![]()
冷若冰 Lv7. 资深专家 2019-10-16好产品
相关推荐
【产品】60V/20A N沟道增强型功率MOSFET RM20N60LD，采用TO-252-2L封装
丽正国际推出N沟道增强型功率MOSFET，型号为RM20N60LD，采用先进的沟槽技术，采用TO-252-2L封装，具有低导通电阻和低栅极电荷，该产品应用范围较广。参数最大额定值如下：漏极-源极电压为60V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流分别为20A（TC=25℃）和14A（Tc=100℃），漏极脉冲电流为60A，最大耗散功率为45W，单次脉冲雪崩能量为72mJ。
新产品 发布时间 : 2019-10-22
【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102
AiT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。
新产品 发布时间 : 2019-10-18
【产品】上海贝岭推出硅N沟道增强型功率MOSFET BLS65R380，适用于高频开关电源
BLS65R380是上海贝岭推出的一款硅N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超结技术，可降低导通损耗，提高开关性能。 该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用场合。
新产品 发布时间 : 2022-02-20
【产品】铨力半导体推出N沟道增强型功率MOSFET AP3205系列，采用TO-220封装，具有低导通电阻和快速开关特性
铨力半导体推出的AP3205系列采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于各种电源应用领域。
产品 发布时间 : 2023-05-30
【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS，采用平面条形VDMOS技术
SFF5N50TS/SFD5N50TS是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装，适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-31
【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装
RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-22
【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF，采用DFN5X6-8L封装
RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-11
【产品】群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列，支持DFN1006-3L外壳封装，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
产品 发布时间 : 2023-05-19
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论