【产品】三款采用SOT-89封装的硅晶体管，功率损耗仅为1.2W，助力高电压产品应用

时间： 2018-12-04 来源：Central Semiconductor

技术问答

Central Semiconductor （简称Central）公司是世界顶级中央半导体制造商，成立于1974年，公司总部位于美国纽约，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的一系列环氧模塑硅晶体管——CXTA42，CXTA92，采用外延平面工艺生产，表面贴装，专为高压应用而设计。而CXTA27型是一种NPN硅达林顿晶体管，采用外延平面工艺制造，也采用环氧树脂模塑，表面贴装封装，专为需要极高增益的应用而设计。CXTA42、CXTA92和CXTA27均采用SOT-89封装。其主要应用于极高电压和高增益能力的应用。其实物如图1所示。

图1. CXTA42、CXTA92、CXTA27系列硅晶体管实物图

CXTA42、CXTA92系列晶体管集电极基极电压V_CBO为300V，而集电极发射极电压V_CEO为300V，发射极-基极电压V_EBO分别为6.0V和5.0V，而CXTA27晶体管集电极-发射极电压V_CES为60V，发射极-基极电压V_EBO分别为10V。 CXTA42、CXTA92和CXTA27系列硅晶体管集电极连续电流I_C为500mA。另外，耗散功率P_D为1.2W（TA=25℃），但实际工作时的耗散功率会小很多，结壳热阻为104°C/W，其操作和存储结温均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。其系列封装尺寸和引脚定义图如图2所示。

图2.CXTA42、CXTA92和CXTA27系列硅晶体管封装尺寸和引脚定义图

CXTA42、CXTA92、CXTA27系列硅晶体管具有较高的耐压值，集电极-基极电压BV_CBO最小值分别为300V、300V和60V（I_C=100μA），而CXTA42、CXTA92系列三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压BV_CEO最小值为300V，三极管集电极开路时，发射极-基极反向击穿电压BV_EBO为分别为6.0V和5.0V，有较强的抗压能力，可保证器件正常工作而不被损坏，具有较低的饱和压降。CXTA42、CXTA92、CXTA27系列硅晶体管最高截止频率f_T为分别为50MHZ、50MHZ和125MHZ，集电极-发射极间饱和压降V_CE(SAT)最大值分别为0.5V、0.5V和1.5V。其具体电气特性如下图3、图4所示。

图3. CXTA42、CXTA92系列硅晶体管电气特性

图4. CXTA27系列硅晶体管电气特性

CXTA42、CXTA92、CXTA27系列硅晶体管的主要特点：

• 发射极-基极电压V_EBO分别为6.0V、5.0V和10V

• 集电极连续电流I_C均为500mA

• 工作稳定性好

• 工作及存储结温范围大：-65°C~+150°C

• 结壳热阻均为104°C/W

• 功率损耗均为1.2W

• 体积小，重量轻

CXTA42、CXTA92、CXTA27系列硅晶体管的典型应用：

• 高电压

• 高增益能力的应用

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