【应用】应用于高频感应加热电源中MOSFET驱动的最佳选择
在高频感应加热电源中经常会用到串联谐振逆变电路，下图1所示。在整个高频感应加热电源的设计中，驱动电路又是至关重要的，驱动电路起隔离和控制功率管的作用。随着高频感应加热电源的发展运用，需要开关频率也越来越高，驱动电流需求变大，抗干扰度要求越来越高。
图1：串联谐振逆变器电路图
基于上述描述，Si823x款隔离驱动器系列将两个独立、隔离的驱动器集成到一个封装内，Si8230/1/3/4是高侧/低侧驱动器，而Si8232/5/6/7/8是双驱动器，其结构图如下图2所示。可选峰值输出电流为0.5A（Si8230/1/2/7）和4.0A（Si8233/4/5/6/8）两版本，所有驱动器的最大供电电压为24V。并且Si823x系列驱动器采用的是SILICON LABS自主研发的硅隔离技术，提供符合UL1577的5kVRMS耐受电压，以及60ns快速传送时间。驱动器输出可连接到相同或独立的地线进行接地，或者连接到正或负电压。单个控制输入（Si8230/2/3/5/6/7/8）或PWM输入（Si8231/4）配置提供滞后大于400mV的TTL级兼容输入。
高度的集成、低传送延时、较小的外形及其灵活性和成本效益性使Si823x系列非常适合MOSFET/IGBT门驱动器隔离应用。此外Si823x属于电容隔离具有高电磁抗扰度，最高5kVRMS输入到输出隔离，瞬态抗扰度大于45kV/μs，切换频率高达8MHz，所以Si823x系列是一款非常合适的MOSFE双驱动隔离芯片。
图2：Si8232/5/6/7/8双隔离驱动器
Si823x系列隔离驱动器的主要特性为：
• 一个封装内两个完全隔离的驱动器：
• 最高5kVRMS输入到输出隔离
• 最高1500V直流峰值驱动器到驱动器差分电压
• HS/LS和双驱动器版本
• 最高8 MHz切换频率
• 0.5A峰值输出（Si8230/1/2/7）
• 4.0A峰值输出（Si8233/4/5/6/8）
• 高电磁抗扰度
• 60ns传送延时（最大）
• 独立HS和LS输入或PWM输入版本
• 瞬态抗扰度> 45kV/μs
• 重叠保护和可编程死区时间
• AEC-Q100认证
• 宽工作范围：-40℃至+125℃
• 符合RoHS的封装：
--SOIC-16宽体
--SOIC-16窄体
--LGA-14
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Paulwang Lv8. 研究员 2017-12-28不错，学习了 -
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serena Lv7. 资深专家 2017-12-19好复杂呀 -
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yuyu Lv8. 研究员 2017-09-24收藏
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