【产品】串行接口Flash存储器设备ZD25WD40B，1.65V~3.6V用于读取，擦除和编程操作

时间： 2022-03-25 来源：ZETTA

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ZETTA的ZD25WD40B是一种串行接口Flash存储器设备，该存储器可用于各种大容量消费类应用，其程序代码可从Flash存储器映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构和页面擦除粒度，是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需求。

该设备已经对块擦除大小进行了优化，以满足当今的代码和数据存储应用程序的需求。通过优化块擦除的大小，可以更有效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在它们自己的擦除区域中，因此大扇区和大块擦除闪存设备可以大大减少浪费和未使用的内存空间。这种增加的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时仍然保持相同的总体设备密度。

该设备还包含一个额外的3*512字节的带OTP锁的安全寄存器(One-Time Programmable)，可以用于唯一设备序列化，系统级电子序列号(ESN)存储，锁密钥存储等目的。

该设备专为许多不同的系统而设计，支持读取、编程和擦除操作，供电电压范围从1.65V到3.6V。编程和擦除不需要单独的电压。

ZD25WD40B 一般特征如下：

（1）单电源1.65V到3.60V供电

1.65V~3.6V用于读取，擦除和编程操作

（2）工业温度范围为-40℃~ 85℃

（3）SPI兼容:

支持SPI模式0、模式3

（4）单IO和双IO模式

- 4M x 1bit

- 2M x 2bits

(5)灵活的代码和数据存储架构

-统一256字节页编程

-统一256字节页擦除

-统一4K字节扇区擦除

-统一32K/ 64K字节块擦除

-全芯片擦除

ZD25WD40B性能如下：

（1）快速读取

- 2 I/O 104MHz, 4个空指令周期，相当于208M

- 1 I/O 104MHz, 8个空指令周期

（2）快速编程和擦除速度

- 1.3ms 页编程时间

- 10ms 页擦除时间

- 10ms 4k字节扇区擦除时间

- 10ms 32k字节的块擦除时间

- 10ms 64k字节的块擦除时间

（3）超低功耗

- 0.1μA 深度睡眠电流

- 10μA 待机电流

- 1mA 33MHz下的读操作电流

- 1.8mA 写操作或擦除电流

（4）高可靠性

- 100,000个编程/擦除周期

- 数据保留20年

ZD25WD40B软件特性如下：

（1）一次性可编程(OTP)安全寄存器

-带有OTP锁的3*512字节安全寄存器

（2）软件保护模式

-块保护 (BP4、BP3、BP2、BP1和BP0)位定义了存储阵列中可以使用的部分，可以读但不可以更改。

（3）每个设备128位唯一标识

（4）编程/擦除暂停和编程/擦除恢复

（5）JEDEC标准制造商和设备ID读取方法

ZD25WD40B硬件特性如下：

（1）硬件保护模式

-通过WP引脚硬件控制锁定保护扇区

（2）行业标准绿色封装选项

- 8pin SOP (150mil/208mil)

- 8pin USON (3x2x0.55mm)

- 8pin USON (3x2x0.45mm)

- 8pin USON (1.5x1.5mm)

ZD25WD40B管脚分配如下图所示，支持150mil/200mil SOP 封装和TSSOP封装：

ZD25WD40B管脚描述如下：

ZD25WD40B内部框图如下：

ZD25WD40B内存地址映射：

存储器阵列可以在三个级别的粒度被擦除，包括整芯片擦除。擦除块的大小针对代码和数据存储应用程序进行了优化，允许代码和数据段驻留在它们自己的擦除区域中。

ZD25WD40B内存组织如下：

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