当碳化硅遇见新能源:瞻芯电子亮相慕尼黑上海电子展,邀您共同探索高效能源转换技术边界

2023-07-11 瞻芯电子公众号
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7月11日-13日,瞻芯电子将亮相慕尼黑上海电子展,并展示全系列碳化硅功率半导体和芯片产品。我们将重点围绕新能源汽车应用、光伏与储能、充电桩领域,展示适用的碳化硅(SiC)MOSFET、碳化硅(SiC)二极管和功率模块,以及驱动芯片和参考设计方案。


我们诚挚地邀请各界朋友们莅临参观,期待与您共同交流探讨更高效、更紧凑、更可靠的能源转换应用方案,共同推动产业创新与发展。



产品概览

瞻芯电子已开发量产了650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品,规格参数齐全,且有多种贴片、插件、模块封装。同时,我们还围绕碳化硅(SiC)应用,开发了多种系列栅极驱动芯片,包括SiC专用驱动、通用驱动、隔离型驱动。此外,瞻芯电子首创了一系列CCM模拟控制芯片。


参考设计方案

1、20kW充电桩模块

该方案采用崭新架构:电流源PFC+DC-X,利用电池作为超级电容,以减少了PFC输出电容,再通过切换LLC级变压器匝数比,使DC-X在最佳效率点运行,让器件开关频率提高了2-3倍,增加了系统功率密度、可靠性。



2、2.5kW 图腾柱PFC电源

该方案采用简单高效率的无桥功率因数校正电路,适用于钛金级AC/DC 交直流变换器设计。因采用CCM模拟控制芯片,而实现快速、精确、可靠的模拟控制,无需编程,节约开发时间和成本,从而快速开发并推向市场。该方案额定功率为2.5kW,效率高达99%。拓扑图如下:



本方案中控制芯片为瞻芯电子开发图腾柱模拟控制芯片IVCC1102,Q1 和Q2 是高频臂SiC MOSFET,采用了650V 60mΩ SiC MOSFET(IV1Q06060T4),高频臂的两颗驱动芯片为SiC 专用·比邻驱动TMIVCR1401。Q3 和Q4 是低频臂Si MOSFET。


3、11kW 三相桥电机驱动方案

该方案为车载空压机驱动而设计,功率高达11kW,下桥共用一组驱动电源,上桥自举供电,同时采用开尔文栅极接法,避免了驱动回路与功率回路耦合,因而方案具备高频率、高效率、高功率密度等特点。该方案所采用三相塑封模块与比邻驱动TM芯片,也适用于车载充电机(OBC)。



核心元器件简介:

IVTM12080TA1Z三相桥塑封功率模块:1200V SiC MOSFET inside(车规级设计)采用氮化铝陶瓷基板,散热性能好。


IVCR1401: SiC 专用·比邻驱动TM芯片,采用8pin紧凑封装,且集成了负压驱动、UVLO与故障警报,退饱和保护与内置消隐、负压电源等功能。


4、200W 反激电源

该方案是一款反激式辅助电源,可适应300V-1000V的超宽范围供电工作,输出24Vdc,使用方便灵活,峰值效率可达90%+,适用于多种场景的辅助电源、开关电源,能提高高功率密度,简化电路设计。该方案中核心器件为车规级TO263-7封装的1700V SiC MOSFET产品。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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目录- 公司介绍    产品应用    产品概览 SiC Devices    产品概览 驱动与控制芯片    碳化硅(SiC)MOSFET 产品目录    碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品    碳化硅(SiC)肖特基二极管产品目录    碳化硅肖特基二极管系列产品    碳化硅功率模块系列产品    栅极驱动芯片系列产品    图腾柱 PFC 控制芯片系列产品    产品可靠性测试规范   

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

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测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

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提供电子电气产品的辐射骚扰测试、辐射抗干扰测试,以及RFID,SRD,2G,3G,4G等无线产品的辐射骚扰测试、辐射杂散测试、辐射功率测试以及辐射抗干扰测试。测试频率可覆盖9KHz-26.5GHz。

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