【产品】可替代传统MOS的EPC GaN晶体管，电源转换首选功率器件

时间： 2017-07-14 来源：世强

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由于硅技术已经达到了它的性能极限，因此它不再是前沿技术以满足社会对越来越高效的电力的需求。为了重拾技术发展的势头并成就创新动力，我们需要一种全新的半导体材料。

概述
宜普电源转换公司（EPC）是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管，其器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，EPC正在扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。总而言之，使用EPC的氮化镓场效应晶体管可以获得更快的开关频率，更高的效率，更小的尺寸，更低的导通电阻。设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件

应用及市场
EPC推出的氮化镓场效应晶体管大概有36个PN，可在更高频下工作及具备超低的导通电阻（R_DS（ON）），因此它可以提高目前采用标准MOSFET产品的应用的性能，并且推动硅基FET技术所不可能实现的应用的出现。具体应用为DC-DC电源转换、包络跟踪、无线转换、宇航应用、激光雷达、D类音频放大器、功率逆变器应用、医疗应用技术。可广泛应用于无线充电，无人驾驶，高效AC Adapters，激光扫描，Class D，手电筒（交警用），LED等市场。

优势
1）推动创新应用开发
与最优的硅基MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件，当今商用化的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路的性能高出5至50倍。这个在性能方面的重大改进可推动全新应用的出现，在氮化镓技术推出之前，这是完全不可能实现的。然而，目前的eGaN FET及其它供应商所制造的氮化镓晶体管的性能仍然距离氮化镓器件理论上的性能极限达数个数量级。

2）极具成本效益
EPC公司的氮化镓晶体管及集成电路的制造工艺跟硅基功率MOSFET的工艺相似，不同的是，制造氮化镓器件的工艺步骤更少，以及在每次制造工艺中可以产出更多器件。这是由于氮化镓器件比它的硅基等效器件的体积小巧很多。

此外，较低压的氮化镓晶体管（低于500V）不需要使用等效硅基器件所使用的、成本更高的封装。单是这个在封装方面的优势使得氮化镓器件的制造成本被降低一半，加上它具备高制造良率及小尺寸等优势，使得EPC氮化镓晶体管与可比的（但性能更低的）硅基功率MOSFET相比，前者的成本更低。目前设计工程师不独是可以发挥氮化镓更高的性能，而且可以即时节省成本了！

3）可靠性
到目前为止，多家氮化镓晶体管制造商在各自进行各种应力测试后所发布的结果表明，氮化镓晶体管的性能非常优越。经过8百万器件小时的应力测试后，完全没有失效器件。

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小学生攻城狮 Lv8. 研究员 2019-05-20

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乔峰 Lv7. 资深专家 2019-05-03

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用户83734992 Lv6. 高级专家 2019-04-28

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用户83734992 Lv6. 高级专家 2019-02-19

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jishizhong Lv9 2019-02-19

氮化镓很厉害i
duanmaxie Lv8. 研究员 2019-02-18

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用户85806204 Lv7. 资深专家 2019-02-15

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用户_8353 Lv8 2019-02-12

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