【元件】 长晶科技新推P沟道MOSFET CJ4459A，采用SOT-23封装，漏源电压为-30V
长晶科技推出的P沟道MOSFET CJ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。该器件采用SOT-23封装，在TJ=25℃时的最大额定值方面，漏源电压为-30V，栅源电压±20V，连续漏极电流-5A。
CJ4459A P沟道MOSFET
标记和等效电路
最大额定值（TJ=25℃，除非另有说明）
MOSFET电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
Notes:
1.TA=25℃。
2.仅受允许的最高温度限制。
3.脉冲测试：脉冲宽度≤380µs，占空比≤2%。
4.器件安装在1平方英寸的FR-4板上，2侧带2盎司铜皮，在TA=25℃的静止空气环境中。
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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0.2
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0.8~3
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5000
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6000
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