【元件】 长晶科技新推P沟道MOSFET CJ4459A，采用SOT-23封装，漏源电压为-30V
长晶科技推出的P沟道MOSFET CJ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。该器件采用SOT-23封装，在TJ=25℃时的最大额定值方面，漏源电压为-30V，栅源电压±20V，连续漏极电流-5A。
CJ4459A P沟道MOSFET
标记和等效电路
最大额定值（TJ=25℃，除非另有说明）
MOSFET电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
Notes:
1.TA=25℃。
2.仅受允许的最高温度限制。
3.脉冲测试：脉冲宽度≤380µs，占空比≤2%。
4.器件安装在1平方英寸的FR-4板上，2侧带2盎司铜皮，在TA=25℃的静止空气环境中。
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