【元件】 长晶科技新推P沟道MOSFET CJ4459A，采用SOT-23封装，漏源电压为-30V
长晶科技推出的P沟道MOSFET CJ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。该器件采用SOT-23封装，在TJ=25℃时的最大额定值方面，漏源电压为-30V，栅源电压±20V，连续漏极电流-5A。
CJ4459A P沟道MOSFET
标记和等效电路
最大额定值（TJ=25℃，除非另有说明）
MOSFET电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
Notes:
1.TA=25℃。
2.仅受允许的最高温度限制。
3.脉冲测试：脉冲宽度≤380µs，占空比≤2%。
4.器件安装在1平方英寸的FR-4板上，2侧带2盎司铜皮，在TA=25℃的静止空气环境中。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由浩哥的小锤锤翻译自长晶科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】输入电压2.5V至5.5V的单P沟道MOSFET负载开关TMI6263系列，非常适合3V和5V供电系统
西安拓尔生产的TMI6263系列是高性价比，单P沟道MOSFET负载开关，具有超低漏源导通电阻RDS（ON）。针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。输入电压范围2.5V至5.5V，非常适合3V和5V供电系统。
【产品】SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET CJK1211，可用于PWM应用和负载开关等
长晶科技推出的CJK1211型SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET，是一款增强型场效应晶体管。CJK1211采用先进的沟槽MOSFET工艺技术，具有超低导通电阻和低栅极电荷。MOSFET可用于PWM应用，负载开关和手机电池充电等领域。
【产品】采用DFN1006-3L塑封的P沟道MOSFET CJBA3139K，漏源电压最大额定值为20V，可提供无铅产品
长晶科技推出的CJBA3139K是DFN1006-3L封装的塑封P沟道MOSFET，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行，栅极具有ESD保护功能，有无铅产品可选，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子产品电池管理等领域。
【选型】P沟道MOSFET CJAC70P06导通电阻低至7.6mΩ，可兼容PDC6901X用于水泵控制器中
在客户的水泵控制器项目上，需要一颗MOS来驱动控制电路，原来使用博盛的PDC6901X，现需要找寻另一款合适的型号作为备选方案。给客户推荐了长晶科技的P沟道MOSFET CJAC70P06，参数和性能都与博盛的PDC6901X差不多，可以满足替换的基本需求。
【选型】国产单P沟道MOSFET负载开关用于烟感控制器，可兼容替换WS4603E-5/TR
在烟感控制器供电端一般需要颗负载开关提供过流和缓启动功能，之前不少厂商选择WILLSEMI的WS4603E-5/TR，急需找兼容物料替换。故本文推荐拓尔微电子的单P沟道MOSFET负载开关TMI6263BH，可完美兼容替换WS4603E-5/TR。
电子商城
品牌：长晶科技
品类：Plastic-Encapsulated MOSFET
价格：￥1.3750
现货： 70
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论