【产品】高速256/128Kx18位同步双端口静态RAM 70V3319、70V3399S，内核电源保持在3.3V

时间： 2019-09-19 来源：IDT（Renesas收购）

技术问答

IDT 70V3319、IDT70V3399S是IDT（RENESAS收购）推出的高速256/128Kx18位同步双端口静态RAM。存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。控制、数据和地址输入寄存器提供最少的建立时间和保持时间。通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。通过输入数据寄存器，两款产品已针对具有突发中的单向或双向数据流的应用进行了优化。由CE0和CE1控制的自动断电功能可以使每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。两款产品可在一个或两个端口上支持3.3V或2.5V的工作电压，可由OPT引脚控制。器件内核（VDD）的电源保持在3.3V。

图1 功能框图

图2 引脚图

双端口静态RAM主要特性：

•真双端口存储单元，允许同时读取相同的存储单元

•高速访问

-商业：3.6ns（166MHz）/4.2ns（133MHz）（最大值）

-工业：4.2ns（133MHz）（最大值）

•可选择流水线或流通输出模式

- 由于引脚数量有限，128引脚TQFP封装不支持PL / FT选项。设备是仅在每个端口上的流水线输出。

•计数器启用和重复功能

•双芯片允许深度扩展，无需额外的逻辑

•两端口完全同步操作

-6ns周期时间，166MHz运行（6Gbps带宽）

-快速3.6ns时钟数据输出

-1.7ns设置为时钟，0.5ns保持所有控制，数据和地址输入@ 166MHz

-数据输入，地址，字节使能和控制寄存器

-自定时写入允许快速循环时间

•用于多路复用总线和总线匹配兼容性的单独字节控制

•单独的字节控制，用于多路复用总线和总线匹配兼容性

•用于流水线输出模式的双周期取消选择（DCD）

•LVTTL兼容，单核3.3V（±150mV）电源

•LVTTL兼容，可选择3.3V（±150mV）或2.5V（±100mV）电源，用于每个端口上的I/O和控制信号

•工业温度范围（-40°C至+ 85°C），133MHz。

•采用128引脚薄型四方扁平封装，208引脚细间距球栅阵列和256引脚球栅阵列

•支持符合IEEE 1149.1的JTAG功能

-由于引脚数量有限，128引脚TQFP封装不支持JTAG

•绿色部件可用，请参阅订购信息

图3 订购信息

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 4
| 转发至：

本文由等你翻译自IDT（Renesas收购），版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（4）

国丰 Lv7. 资深专家 2019-09-21

学习
国丰 Lv7. 资深专家 2019-09-21

学习
luosai Lv8. 研究员 2019-09-21

学习
Jamie Lv7. 资深专家 2019-09-20

学习

没有更多评论了

【产品】高速8K x 9双端口静态RAM（SRAM）IDT7015，适用于18位或更多位数的存储系统应用

IDT（Renesas收购）推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM（SRAM）。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作，而无需其他离散逻辑。

新产品发布时间 : 2020-06-09

【产品】3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM 70V09L，待机能耗仅660uW

IDT（Renesas收购）推出的70V09L是3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于16位或更多位字系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

新产品发布时间 : 2019-10-29

【产品】高速8/4Kx18（8/4Kx16）位双端口静态RAM 70V35/34S/L（70V25/24S/L）

IDT（Renesas收购）推出的IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）是高速8 / 4K x 18（8 / 4Kx16）位双端口静态RAM。IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位（32位）或更多位系统，可以实现全速、无错误的操作，而不需要额外的离散逻辑。

新产品发布时间 : 2019-12-11

71321SA/LA 71421SA/LA HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS

型号- 71321LA20PFG8,71321LA20PFG,71421LA,71321,71421X35,71421,71321SA55JG8,71321LA55TFG8,71321LA25JGI8,71321SA35TFG,IDT71321,71321LA20TFG,XXXX A 9 999 A A A A,71321X25,71421LA25PFGI,71321LA20JG8,71321LA25PFGI8,71421LA25PFGI8,71321LA20TFG8,71321LA55TFG,71421X20,71321SA,71421LA20JG8,71421LA20PFG8,71421X25,IDT71321/421LA,71321LA25TFGI8,71421LA20PFG,71321SA55JG,71421SA,71321X20,71321LA25PFGI,71321X55,IDT71421,71321LA20JG,71321X35,71321LA55PPGI8,71421LA20JG,71321LA,71321LA55PPGI,71421X55,71321LA25JGI,71321SA35TFG8,71321LA25TFGI,71321SA/LA,71421SA/LA

数据手册 - RENESAS - 09/24/19 PDF 英文下载

【产品】高速84K x 16双端口静态RAM 7025S/7025L，提供84脚PGA等不同封装类型

IDT（Renesas收购）推出的7025S/7025L是高速84K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的128K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位字系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在32位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

新产品发布时间 : 2019-11-09

70V9369L HIGH-SPEED 3.3V 16K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM

型号- XXXXX A 99 A A A A,70V9369L6,70V9369L,70V9369L9PFG,70V9369L7,IDT70V9369,70V9369L9,70V9369L12,70V9369L9PFG8,70V9369

数据手册 - RENESAS - 11/14/19 PDF 英文下载

【产品】高速2K x 16双端口静态RAM 7133SA/LA和7143SA/LA系列

IDT（Renesas收购）推出的7133SA/7133LA和7143SA/7143LA系列是高速2K x 16双端口静态RAM。7133SA/LA系列设计用作独立的16位双端口RAM，或者作为MASTER双端口RAM结合使用7143SA/LA系列SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位字系统。

新产品发布时间 : 2019-11-06

【产品】高速1K x 8双端口静态RAM 71V30S/L，可以用作独立的8位双端口SRAM

IDT（Renesas收购）推出的71V30S/71V30L是高速1K x 8双端口静态RAM，可以用作独立的8位双端口SRAM。该器件提供两个独立的端口，具有独立的控制功能，地址和I / O引脚，允许独立，异步地访问存储器中的任何位置。由/CE控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。系列产品使用CMOS高性能技术制造, 通常仅以375mW的功率工作。

新产品发布时间 : 2019-11-18

70V9089/79L HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

型号- 70V9089/79,IDT70V9089/79,70V9079L7PFG,70V9089/79X9,70V9089/79X6,70V908S/L25,70V907S/L25,70V9089L12,70V9089/79X7,70V9079L7,IDT70V9079,70V9089/79L,70V9089/79S,70V9089/79X12,70V9079L,XXXXX A 99 A A A A,70V9079L7PFG8,70V9089L,70V9089/79X15,70V9089L12PFGI8,70V9089L12PFGI

数据手册 - RENESAS - 09/25/19 PDF 英文下载

【产品】8Kx8和16Kx8 双端口静态RAM 7005、7006，满足军品标准MIL-PRF38535 QML

7005和7006系列是由瑞萨旗下IDT公司推出的两款8Kx8和16Kx8 双端口静态RAM，分别被设计作为独立的64K-bit和128K-bit双端口RAM或在16位或更多字宽系统中，作为MASTER/SLAVE双端口RAM。在16位或更宽内存系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误码的操作，不需要额外的分立逻辑电路。

新产品发布时间 : 2019-04-12

【产品】3.3V 高速32K x 8双端口静态RAM 70V07S/L，提供68脚PGA和80脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的70V07S和70V07L是3.3V 高速32K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的256K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于Q6位或更多位字系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他额外逻辑进行配合。

新产品发布时间 : 2019-11-01

70V3579S HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

型号- 70V3579S6BCI8,70V3579S4DRG,70V3579S5BC8,XXXXX A 999 A A A A,70V3579S6BF8,70V3579S4BF8,70V3579S5BFI8,70V3579S5BCI8,70V3579S4BCG,70V3579S6BCI,IDT70V3579,70V3579S5BFI,70V3579S5BCGI,70V3579S,70V3579S6BF,70V3579S4BC8,70V3579S5BF,70V3579S4BF,70V3579S6BC,70V3579S5BC,70V3579S4BC,70V3579S6BC8,70V3579S5BF8,70V3579S4,70V3579S5,70V3579S6,70V3579S5BCI,70V3579S4BFG

数据手册 - RENESAS - 08/02/19 PDF 英文下载

【产品】3.3V 高速256K x 18异步双端口静态RAM，提供TQFP等不同封装类型

IDT（Renesas收购）推出的70V631S是3.3V 高速256K x 18异步双端口静态RAM。产品设计用作独立的4608K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位或更多位字系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在36位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

新产品发布时间 : 2019-11-02

【产品】高速16K x 9双端口静态RAM 7016L，提供68引脚PLCC封装

IDT（Renesas收购）推出的7016L是高速16K x 9双端口静态RAM。产品设计用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于18位或更多位字系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在18位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

新产品发布时间 : 2019-10-30

70V3389S HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

型号- 70V3389S4BCG,70V3389S5BFI,70V3389S4,70V3389,70V3389S6BF8,70V3389S4BF8,70V3389S5BC8,70V3389S4PRFG8,70V3319,70V3389S,70V3389S5BCI,70V3379,70V3389S5BFI8,70V3389S5BCI8,70V3399,IDT70V3389,XXXXX A 99 A A A A,70V3389S6BF,70V3389S5BF,70V3389S4BF,70V3389S4PRFG,70V3389S6BC8,70V3389S5,70V3389S6BC,70V3389S6,70V3389S5BC,70V3389S5BF8,70V3389S4BC,70V3389S4BC8

数据手册 - RENESAS - 07/19/19 PDF 英文下载