【产品】无锡紫光微N沟道MOSFET，漏源电压650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC）
TMA20N65HG、TMW20N65HG 是两款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET，其漏源电压均为650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC），耗散功率最大120W，工作结温-55~+150℃，具有两种封装TO-220F和TO-247可供选择，采用VDMOSFET技术，VDMOSFET是一种电流垂直流动的压控双扩散器件，在适当的栅极电压控制下，在漏极和源极之间，使半导体表面倒置，形成导电通道，和双极晶体管相比，开关速度快和开关损耗小，高输入阻抗，驱动功率低，频率特性好的特点，可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。
主要特性：
●快速切换
●100%雪崩测试
●提高dv/dt能力
应用领域：
●开关模式电源（SMPS）
●不间断电源（UPS）
●功率因数校正（PFC）
最大额定值参数（Ta=25℃）：
电气参数（TJ=25℃）：
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