【产品】采用CoolMOS™ C6芯片技术，适用于并联拓扑的高速IGBT功率模块

时间： 2018-07-03 来源：VINCOTECH

技术问答

全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商VINCOTECH（威科）推出的10-F0062TA099FS-P980D59系列IGBT功率模块，为flowPFC 0产品线，采用PFC拓扑（单相应用），集成了双通道升压PFC、半控制转换器、分流电阻、DC电容器，具有紧凑低电感设计，适合于并联拓扑。另外，内部集成了温度传感器，可实时地对模块进行温度监测，避免温度过高对系统造成永久性的损坏。非常适用于开关电源、马达驱动器、不间断电源和电池充电器等领域。

Tj=25℃（除其他特殊说明外）时，该IGBT功率模块的工作电压为600V，额定电流为18A，可满足高压、大电流电源系统的技术要求。功率模块的直流隔离电压为4000V（tp=2s），满足大功率隔离设计，同时有效的抑制输入谐波，具有超高的安全性与稳定性。

该IGBT功率模块采用CoolMOS™ C6芯片技术。其整流器二极管的正向压降典型值仅为1.31V（IF=50A、Tj=25℃），整流器晶闸管的正向电压的典型值仅为1.26V（IF=30A、Tj=25℃），PFC二极管的正向电压的典型值仅为1.49V（IF=10A、Tj=25℃），损耗少，产热低，且极低的正向电压使得该IGBT功率模块有易于驱动的优势。

该IGBT功率模块具有超高的切换速度。其整流器晶闸管的栅极控制延迟时间的典型值仅为2µs（Tvj=25℃、IG=0.5A、dig/dt=0.5A/μs、VD=2/3VDRM），MOSFET开关的上升沿时间的典型值仅为4ns（Rgoff=2Ω、Rgon=2Ω、Tj=25℃），PFC二极管的反向恢复时间的典型值仅为7ns（Tj=25℃）。开关延时低，损耗小，频率高，适用于对开关频率有一定要求的应用场合。

10-F0062TA099FS-P980D59系列IGBT功率模块的储存温度范围为-40~125℃，工作温度范围为-40~ （Tjmax-25℃）（Tjmax取决于模块中结温最低的器件），符合军品级器件温度要求，可应用在多种苛刻的温度环境中。采用flow0 低电感封装，外壳尺寸为68.4mm*32.5mm*17mm，紧凑设计，可很好地节省空间。

10-F0062TA099FS-P980D59系列IGBT功率模块的外形图、原理图如下：

图1 10-F0062TA099FS-P980D59系列IGBT功率模块外形图

图2 10-F0062TA099FS-P980D59系列IGBT功率模块的原理图

10-F0062TA099FS-P980D59系列IGBT功率模块突出特点与优势

·紧凑低电感设计

·适合于并联拓扑

·适合于电流源传感器

·C6系列CoolMosTM和碳化硅升压二极管

10-F0062TA099FS-P980D59系列IGBT功率模块应用领域

·开关式电源（SMPS）

·马达驱动器

·不间断电源（UPS）

·电池充电器

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全部评论（1）

吊个天 Lv7. 资深专家 2018-11-02

世强这边有没有具体的充电机应用，出过实物产品的，10kW左右充电机

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