罗姆与台达电子缔结电源系统用功率元器件战略合作伙伴关系,以GaN功率器件为核心,加速技术创新
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)和电源管理解决方案领导厂商台达电子(以下简称“台达”)就第三代半导体GaN功率器件(氮化镓功率器件)的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术,联合开发适合更多电源系统的600V耐压GaN功率器件。
2022年3月,罗姆确立了栅极耐压高达8V的“150V耐压GaN HEMT”的量产体系,并将该系列产品命名为“EcoGaN™”,产品非常适用于基站和数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路应用,今后罗姆将继续扩大“EcoGaN™”的产品阵容,并致力于进一步提高产品性能。
罗姆董事、常务执行官、CSO 兼财务本部长伊野和英表示:“非常荣幸罗姆可以和在电源管理和散热解决方案具全球领先地位的台达,缔结以GaN功率器件为核心的战略合作伙伴关系。在全球实现无碳社会的努力中,作为罗姆的重点发力产品之一,功率半导体在其中发挥的作用越来越大。从Si、SiC(碳化硅)到GaN,罗姆一直在广泛的领域推动先进元器件的开发,同时积极致力于提供可以更大程度提升这些元器件性能的控制IC、以及与外围部件相结合的解决方案。通过此次的战略合作伙伴关系,将成功实现GaN功率器件的量产,有助于构建高效电源系统,让罗姆引以为傲的GaN IPM(内置模拟IC)能尽早进行量产,不断扩大符合客户需求的产品阵容。”
台达副董事长柯子兴表示:“GaN功率器件是今后深受业界关注的新一代半导体之一,过去几年双方进行了非常密切的交流,今年技术交流的成果是一个值得欣喜的里程碑,也象征双方的合作关系将更加紧密。对台达而言,积极推动GaN电源应用研发是今后的重点事业方向之一,除了在GaN产品面之外,我们也希望跟罗姆擅长的模拟电源技术(Nano技术)等有更多合作的机会,并且通过这样的合作,共同努力为全球电源市场带来全新的变化。”
EcoGaN™
EcoGaN™是通过更大程度地优化GaN的低导通电阻和高速开关性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 271
本文由翊翊所思转载自ROHM,原文标题为:罗姆与台达电子缔结电源系统用功率元器件战略合作伙伴关系,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
评论
全部评论(271)
-
炎宁 Lv7. 资深专家 2024-09-28好
-
炎宁 Lv7. 资深专家 2024-04-17学习
-
用户71904310 Lv9. 科学家 2023-12-05学习
-
用户34169263 Lv8. 研究员 2023-11-20学习下
-
Timm Lv9. 科学家 2023-10-27学习
-
每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2023-09-07111
-
蒲公英种子 Lv7. 资深专家 2023-06-16学习了
-
快乐的一二 Lv7. 资深专家 2023-06-12学习
-
Timm Lv9. 科学家 2023-03-20学习
-
炫123 Lv8. 研究员 2023-03-12学习
相关推荐
罗姆与台积电公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系
ROHM宣布与台积电公司就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。通过该合作关系,双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来,满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。
ROHM推出多款GaN器件,致力降低GaN系统应用开发的难度,加速GaN的规模化商用
GaN HEMT功率级IC的特点及发展介绍。
罗姆在PCIM Asia上展出SiC封装模块TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品
2024年8月28-30日,全球知名半导体制造商ROHM参加在深圳国际会展中心举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会,简称PCIM Asia。罗姆在PCIM Asia上展出TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品。
能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件,器件阈值电压提高约60%
能华半导体E-mode GaN产品采用增强型氮化镓(GaN)技术,较常规产品来说,其阈值电压(VTH)提高约60%。
氮化镓器件在射频领域中的应用,具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势
碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长,氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。
【IC】AC-DC功率开关芯片DK8715AD可使设备效率达到95.4%,单芯片集成AHB控制+半桥驱动+半桥GAN器件
东科半导体DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构,集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片,其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS,副边整流管ZCS,从而提高电源系统效率。
泰高240W氮化镓多口快充电源方案,相比单口充电器体积缩小20%
2022年7月13日,深圳市泰高技术有限公司(下称“泰高”)与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)签署代理协议,授权世强先进代理其旗下氮化镓电源产品、低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关等全线产品。 资料显示,泰高是一家国产氮化镓功率器件公司,主要从事氮化镓基与碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售。产品广泛应用于新能源汽车、工业自动化和数据中心等领域。
罗姆携碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体亮相2024 PCIM Asia,并分享最新功率电子技术成果
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)于8月28日~30日参加在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆D14)。展会上,罗姆聚焦碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体,展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。
ROHM Starts Production of 150V GaN HEMTs GNE10xxTB Series: Featuring Breakthrough 8V Withstand Gate Voltage
ROHM 150V GaN HEMTs, GNE10xxTB series increase the gate withstand voltage to an industry-leading 8V – ideally to be applied in power supply circuits for industrial equipment such as base stations along with IoT communication devices.
罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会,展示面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案
罗姆将聚焦碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体,在2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会上展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论