【产品】P沟道MOSFET CJBB3139 ，漏源电压最大值为-20V，栅源电压最大值为±12V
长晶科技推出的CJBB3139K是DFN1006-3L-A塑封的P沟道MOSFET，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行，栅极具有ESD保护。MOSFET具有无铅产品可选，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子产品电池管理等领域。此外，器件的工作结温和存储温度范围宽至-55~150°C，能够在不同温度环境下工作。
CJBB3139K漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±12V，连续漏极电流最大额定值为-0.66A（使用最小推荐焊盘尺寸，表面贴装在FR4板上），脉冲漏极电流 (tp=10us)可达-1.2A，耗散功率最大额定值仅为100mW。具有低导通电阻，采用脉冲测试（脉冲宽度≤300µs，占空比≤0.5%），VGS =-4.5V, ID =-1A条件下的漏源导通电阻最大值仅为520mΩ；VGS =-2.5V, ID =-0.8A条件下的漏源导通电阻最大值仅为780mΩ。
图1 产品外观和等值电路
优势与特性
无铅产品可选
表面贴片封装
P沟道开关，低漏源导通电阻RDS（on）
在低逻辑电平栅极驱动器上运行
栅极具有ESD保护
应用领域
负载/电源开关
接口开关
超小型便携式电子产品的电池管理
逻辑电平转换
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长晶科技Trench MOS选型表
长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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长晶MOS选型表
长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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0.2
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0.8~3
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5000
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6000
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TO-92
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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型号- CJ3139K
电子商城
品牌：长晶科技
品类：N-Channel + P-Channel MOSFET
价格：￥0.6970
现货： 0
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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